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1.
浓度及冷冻-解冻处理对CuCl_2水溶液中Cu~(2+)区域结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
应用扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)光谱研究了CuCl2水溶液中Cu2+的区域环境结构,通过测定CuCl2水溶液在不同浓度条件下及冷冻-解冻(FT)处理前后CuK边EXAFS吸收谱,研究了浓度及冷冻-解冻处理对Cu2+第一配位层结构的影响.EXAFS实验结果表明,CuCl2水溶液中Cu2+第一配位层距离中心原子Cu最近邻原子为O原子,配位数介于3.0-4.3之间,Cu—O键长在0.192-0.198nm之间,这种结构与Cu2+的Jahn-Teller效应有关.不同浓度的CuCl2水溶液中Cu2+的区域环境结构有很大不同,随着CuCl2水溶液浓度的升高,Cu2+第一配位层配位数减小,Cu—O键伸长.结构参数拟合结果证实冷冻-解冻处理对Cu2+的区域环境结构有影响,CuCl2溶液经冷冻-解冻处理后,Cu2+第一配位层配位数变大,热无序度增加. 相似文献
2.
利用X 射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%, 36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn关键词:
磁控溅射
XRD
XAFS
xGe1-x稀磁半导体薄膜')" href="#">MnxGe1-x稀磁半导体薄膜 相似文献
3.
利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-zCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因. 相似文献
4.
利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子. 相似文献
5.
利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-xCoxO (x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO 稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因.
关键词:
1-xCoxO稀磁半导体')" href="#">Zn1-xCoxO稀磁半导体
X射线吸收精细结构谱
脉冲激光气相沉积法 相似文献
6.
利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.
关键词:
xSi1-x磁性薄膜')" href="#">MnxSi1-x磁性薄膜
分子束外延
XRD
XANES 相似文献
7.
应用扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)光谱研究了CuCl2水溶液中Cu2+的区域环境结构, 通过测定CuCl2水溶液在不同浓度条件下及冷冻-解冻(FT)处理前后Cu K边EXAFS 吸收谱, 研究了浓度及冷冻-解冻处理对Cu2+第一配位层结构的影响. EXAFS实验结果表明, CuCl2水溶液中Cu2+第一配位层距离中心原子Cu最近邻原子为O原子, 配位数介于3.0-4.3之间, Cu—O键长在0.192-0.198 nm 之间, 这种结构与Cu2+的Jahn-Teller效应有关. 不同浓度的CuCl2水溶液中Cu2+的区域环境结构有很大不同, 随着CuCl2水溶液浓度的升高, Cu2+第一配位层配位数减小, Cu—O键伸长. 结构参数拟合结果证实冷冻-解冻处理对Cu2+的区域环境结构有影响, CuCl2溶液经冷冻-解冻处理后, Cu2+第一配位层配位数变大, 热无序度增加. 相似文献
8.
利用扩展x射线吸收精细结构和x射线衍射研究了机械合金化制备的体心立方(bcc)的亚稳态Fe80Cu20合金固溶体的结构随退火温度的变化特点.结果表明,在300—873 K温度范围内,随着退火温度的升高,bcc结构物相的晶格常数近于线性降低,这主要是由于Cu原子从bcc结构Fe80Cu20合金固溶体中逐渐偏析出来,生成面心立方(fcc)结构的Cu物相所致.经603K退火后,Cu原子的平均键长RCu—Cu增加了0.003 nm左右,大约有50%的Cu原子从bcc结构的Fe80Cu20合金固溶体中偏析出来.在773 K退火后,bcc结构Fe80Cu20合金固溶体近于完全相分离,生成了bcc结构的α-Fe与fcc结构的Cu物相.
关键词:
扩展x射线吸收精细结构
x射线衍射
80Cu20合金')" href="#">Fe80Cu20合金
机械合金化 相似文献
9.
利用扩展x射线吸收精细结构和x射线衍射研究了机械合金化制备的体心立方(bcc)的亚稳态Fe80Cu20合金固溶体的结构随退火温度的变化特点.结果表明,在300-873 K温度范围内,随着退火温度的升高,bcc结构物相的晶格常数近于线性降低,这主要是由于Cu原子从bcc结构Fe80Cu20合金固溶体中逐渐偏析出来,生成面心立方(fcc)结构的Cu物相所致.经603 K退火后,Cu原子的平均键长RCu-Cu增加了0.003 nm左右,大约有50%的Cu原子从bcc结构的Fe80Cu20合金固溶体中偏析出来.在773 K退火后,bcc结构Fe80Cu20合金固溶体近于完全相分离,生成了bcc结构的α-Fe与fcc结构的Cu物相. 相似文献
10.
利用掠入射荧光X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了在400℃的温度下分子束外延生长的Si/Gen/Si(001)异质结薄膜(n=1,2,4和8个原子层)中Ge原子的局域环境结构.结果表明,在1至2个Ge原子层(ML)生长厚度的异质结薄膜中,Ge原子的第一近邻配位主要是Si原子.随着Ge原子层厚度增加到4ML,Ge原子的最近邻配位壳层中的Ge-Ge配位的平均配位数增加到1.3.当Ge原子层厚度增加到8ML时,第一配位壳层中的Ge-Ge配位占的比例只有55%.这表明在400℃的生长条件下,Ge原子有很强的迁移到Si覆盖层的能力.随着Ge层厚度从1 增加到2,4和8ML,Ge原子迁移到Si覆盖层的量由0.5ML分别增加到1.5,2.0和3.0ML.认为在覆盖Si过程中Ge原子的迁移主要是通过产生Ge原子表面偏析来降低表面能和Ge层的应变能.
关键词:
XAFS
n/Si(001)异质膜')" href="#">Si/Gen/Si(001)异质膜
迁移效应 相似文献