除法快速定位法

珠算除法在实际的经济工作中不可缺少。熟练地掌握珠算除法的快速定位是提高工作效率的重要一环。 本着适用、简明、易学的原则,我向大家介绍一种快速定位法。 快速定位法的歌诀是这样的: 同号差位,除多变号; 异号和位,被为商号; 被大被等,加1信号。 即被除数与除数的代号相同,被除数的位多,商号不变,位相减。如果除数的位多,商     

BBO晶体拉曼光谱的高温特性研究

ＢＢＯ晶体拉曼光谱的高温特性研究李郁陈凯旋尤静林蒋国昌（上海大学上海２０１８００）洪慧聪路治平仲维卓（中科院上海硅酸盐研究所上海２０００５０）ＨｉｇｈＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｆＢＢＯＣｒｙｓｔａｌＬｉＹｕ，ＣｈｅｎＫａｉｘｕａｎ...     

CdS/SiO2复合材料的低频Raman散射研究

对用溶胶凝胶法制备的ＣｄＳ／ＳｉＯ２复合材料进行低频Ｒａｍａｎ散射研究，结果表明可从其低频Ｒａｍａｎ散射峰位计算出ＣｄＳ微晶的粒径，两种不同的低频振动模式由激发光的两种偏振方向加以区分，低频Ｒａｍａｎ散射射的二级散射峰根据实验结果加以指认，所得平均粒径结果与透射电镜观察结果有较好的对应关系，复合材料吸收光谱吸收边蓝移与ＣｄＳ纳米子粒径之间存在着密切的关系，实验证明，样品吸收边能量与ＣｄＳ平均粒径的     

5,15-二(对-取代苯基)八烷基卟啉及其金属配合物的合成

本文报道了五种5,15-二(对-取代苯基)-2,8,12,18-四乙基-3,7,13,17-四甲基卟啉(Ⅱa—Ⅱe)和五种5,15-二(对-取代苯基)-2,3,7,8,12,13,17,18-八甲基卟啉(Ⅰa—Ⅰe)以及它们的铜、铁、镍金属配合物的合成。这些化合物的结构均经元素分析、UV、~1HNMR和MS鉴定。芳环上不同取代基对卟啉成环反应有一定影响,拉电子基团有利于反应。其顺序如下:NO_2>H>CH_3>OCH_3>N(CH_3)_2。     

电子亲和势法判断负离子聚合单体的活性

提出了利用不同取代基烯类单体的电子亲和势来判断其负离子聚合反应活性的方法.采用密度泛函理论的B3LYP/6-31G(d)方法优化了不同取代基烯类单体几何构型,在B3LYP/6-311++G(3df,2p)水平上计算了其电子亲和势.通过电子亲和势计算值与文献报道实验数据比较,表明本文采用的计算方法是比较可靠的.结合不同取代基烯类单体的电子亲和势的计算结果,通过与Q-e关系及取代基常数σ数据进行比较表明,电子亲和势可以用来判断不同单体负离子聚合反应的活性高低.     

三烷基膦—铂—氢配合物的合成及NMR研究

合成了配合物ｔｒａｎｓ－ＰｔＨＸＬ２（Ｌ＝ＰＢｕ３，ＰＰｒ３，ＰＥｔ３；Ｘ＝Ｃｌ＾－，Ｂｒ＾－，Ｉ＾－，ＮＯ＾－３，ＮＯ＾－２，ＳＣＮ＾－，ＣＮ＾－），并进行了ＨＮＭＲ研究。测得Ｐｔ－Ｈ键的Ｈ的高场的化学位移δ＝－８～－２４ｐｐｍ；Ｊ＝８００～１５００Ｈｚ和Ｊｐ－Ｈ＝１３．０～１７．０Ｈｚ，鉴定了配合物的顺反异构和键合异构。研究了阴离子配体（Ｘ）及中性配体（Ｌ）对Ｐｔ－Ｈ键的δ的关系，Ｐｔ－Ｈ化学     

Electrocatalytic Oxidation of Dopamine by Ferrocene in Lipid Film Cast on a Glassy Carbon Electrode

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＤＡｉｓｏｎｅｏｆｅｓｓｅｎｔｉａｌｐａｒｔｉｃｉｐａｎｔｓｉｎｔｈｅｎｅｕｒｏ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓｉｎｍａｍｍａｌｉａｎｃｅｎｔｒａｌｎｅｒｖｏｕｓｓｙｓ ｔｅｍ .ＡｌｏｓｓｏｆＤＡ ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇｎｅｕｒｏｎｓｍａｙｒｅｓｕｌｔｉｎｓｏｍｅｓｅｒｉｏｕｓｄｉｓｅａｓｅｓｕｃｈａｓＰａｒｋｉｎｓｏｎｉｓｍ .1Ｓｉｎｃｅｉｔｓｄｉｓｃｏｖ ｅｒｙｉｎｔｈｅ 195 0ｓ ,ＤＡｈａｓｂｅｅｎｏｆｉｎｔｅｒｅｓｔｔｏｎｅｕｒｏｓｃｉｅｎ ｔｉｓｔｓａｎｄｃｈｅｍ…     

一种基于二氢吩嗪的三维共价有机框架的合成、 结构与表征

二氢吩嗪衍生物由于其独特的氧化还原活性而备受关注. 本文先设计合成了一种含有二氢吩嗪基团的单体5,10-二(4-甲酰基苯基)-5,10-二氢吩嗪(M1), 再采用溶剂热法, 通过亚胺缩合反应制备了一种新型三维共价有机框架(3D COF, 3D-PN-2). 通过粉末X射线衍射(PXRD)、 氮气吸附-脱附、 傅里叶变换红外光谱(FTIR)和固体碳核磁共振波谱(¹³C CP/MAS NMR)等表征方法, 并结合理论模拟对其结构信息进行了研究, 得出3D-PN-2是具有十一重穿插金刚石(dia)拓扑结构的3D COF. 采用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对其形貌进行了表征. 稳定性研究结果表明, 3D-PN-2具有较好的热稳定性和化学稳定性. 通过固体紫外-可见漫反射光谱研究了3D-PN-2的光吸收性能, 结果表明, 其在紫外和可见光区具有较宽的吸收范围(吸收边为 630 nm), 且具有较窄的能带间隙(2.11 eV). 通过循环伏安法研究了其氧化还原性能, 并计算得出其最高占有轨道能级(E_HOMO)为-4.50 eV, 最低空轨道能级(E_LUMO)为-2.39 eV.     

“一锅法”制备氨基官能化介孔二氧化硅用于吸附As(V)EI北大核心CSCD

采用3-[2-(2-氨基乙基氨基)乙基氨基]丙基-三甲氧基硅烷(AAAPTS)为单体,通过“一锅法”制备了一种氨基官能化介孔二氧化硅吸附材料用于吸附As(V)。通过傅立叶红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)和氮气吸附-脱附分析对材料进行表征,并对吸附条件进行优化。结果表明,氨基官能化介孔二氧化硅在吸附环境为pH 3,温度25℃,吸附时间30 min时达到最佳吸附效果,其饱和吸附量为93.74 mg/g。动力学吸附、等温吸附实验结果表明,合成的材料符合伪二阶动力学模型且属于单层吸附的化学结合过程。本研究为去除环境水样品中的As(V)提供了潜在吸附材料。     

基于摩擦磨损的KDP晶体固结磨料抛光垫优化

本文通过固结磨料球与KDP晶体对磨的单因素试验探究固结磨料球中反应物种类、磨粒浓度、反应物浓度、基体硬度对摩擦系数、磨痕截面积和磨痕处粗糙度的影响,试验结果表明:KHCO₃固结磨料球对磨后磨痕对称性好,磨痕处的粗糙度值低;磨痕截面积随磨粒和反应物浓度的增加而增大,随基体硬度的增大而降低;磨痕处粗糙度随磨粒和反应物浓度的增加先降低后上升,随基体硬度的增大先上升后降低;摩擦系数受磨粒和反应物浓度影响不明显,随基体硬度的增大而降低。选择KHCO₃作为反应物,Ⅰ基体,磨粒浓度为基体质量的100%,反应物浓度为15%制备固结磨料球与KDP晶体对磨后的磨痕轮廓对称度好且磨痕处粗糙度值低,以该组分制备固结磨料垫干式抛光KDP晶体,可实现晶体表面粗糙度Sa值为18.50 nm,材料去除率为130 nm/min的高效精密加工。