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1.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法和平板模型研究了CH3SH分子在Au(111)表面的吸附构型和电子结构. 系统地计算了S原子在不同位置以不同方式吸附的系列构型, 计算结果表明, CH3SH分子倾向于吸附在top位上, S-C键相对于Au表面法线的夹角为62°~78°|而S-H键断裂后CH3S_H则倾向于吸附在bri-fcc位上, S-C键相对于Au(111)表面法线的夹角为49°~57°. 比较分析CH3SH分子和CH3S_H的吸附, 发现CH3SH分子倾向于不解离吸附, 表面温度的提升和缺陷的出现可能促使S-H键的断裂. 通过比较S原子在独立的CH3SH分子和吸附状态下的局域态密度, 发现S-H键断裂后S原子和表面的键合强于S-H键未断裂时S原子和表面的键合. 扫描隧道显微镜(STM)图像模拟显示了CH3SH和CH3S_H在Au(111)表面吸附的3个典型的STM图像.  相似文献   
2.
范晓丽  闵家祥  孙承才  池琼  程千忠 《化学学报》2010,68(16):1589-1596
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法和平板模型研究了乙炔和乙烯分子在Ge(001)表面的吸附构型和电子结构. 通过系统考察一系列可能存在的吸附方式, 结果表明, 在0.5 monolayer(ML)覆盖度时, 两种分子的di-σ吸附构型最为稳定; 在覆盖度为1.0 ML时的最稳定吸附方式是paired end-bridge构型. 能带结构分析结果可知, 吸附构型以及吸附分子的覆盖度均对Ge(001)表面带隙有较大影响, 其原因在于费米能级附近的能带主要来自表面二聚体的Ge原子, 它们与表面Ge原子的配位环境密切相关, 而后者又取决于分子的吸附方式和覆盖度. 对于相同的吸附方式, 乙烯和乙炔分子具有类似的吸附行为和电子结构. 此外, 还进一步与Si(001)表面的研究结果进行对比.  相似文献   
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