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合成了两个蓝光材料2-苯基-1H-[9,10-d]菲并咪唑(Phen-PI)和2-吡啶-1H-[9,10-d]菲并咪唑(PyriPI),光物理分析表明Phen-PI和Pyri-PI的最大发射峰分别位于371.5 nm,388.5 nm和403.5 nm,相对量子效率分别为0.383和0.528,激发态衰减寿命分别为3.87 ns和3.68 ns。通过密度泛函理论(DFT)对化合物的前线分子轨道成分和能级分布分析表明,当把Phen-PI中的苯基被吡啶环取代后,Pyri-PI的HOMO能级和LUMO能级分别下降0.09 e V和0.23 e V,同时Pyri-PI的HOMO轨道和LUMO轨道的能级差比Phen-PI减少0.14 e V,在理论层面上解释了Pyri-PI发射光谱的红移。 相似文献
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反饱和吸收是指介质的吸收系数随输入光强的增加而增大的一种现象。反饱和吸收材料在全光开关、光计算与通信以及光限幅和光稳幅等光电子领域中都有着广泛的应用前景。酞菁类化合物以其较大的非共振三阶极化率、内在的快速响应和良好的化学和热稳定性倍受关注。目前所研究的反饱和吸收材料多是溶液和薄膜样品,在实用化方面存在较大困难,并且一些反饱和吸收性能好的酞菁化合物在溶剂中易于分解,给薄膜制备和溶液的稳定带来了困难。本文采用注射成型方法将酞菁铟掺杂到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中,研究了样品的反饱和吸收性能,国内外鲜见相关报道。 相似文献
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合成了四叔丁基萘酞菁铅[(t-Bu)4NcPb]化合物. 利用元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱等方法, 验证了化合物的分子结构. 应用调Q倍频ns/ps Nd:YAG脉冲激光系统, 在波长为532 nm下, 研究了化合物的非线性和光限幅特性. 测得化合物的非线性折射率n2和三阶非线性极化率χ(3)分别为2.42×10-11和7.91×10-12 esu, 通过计算得到分子极化率γ'为3.4×10-29 esu. 在透过率69%时限幅阈值为1522 mJ/cm2, 箝位值为553 mJ/cm2, 有效激发态与基态吸收截面比为3.16. 相似文献
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通过双槽电化学腐蚀法制备大面积(12 mm×58 mm)均匀的多孔硅片,以小鼠免疫球蛋白G(IgG)与兔抗小鼠IgG抗体的相互作用为模型,证明其表面修饰环氧基团后能作为一种基底材料用于蛋白质微阵列芯片的构建。结果表明,兔抗小鼠IgG抗体检测的灵敏度与多孔硅基底制备时所采用的腐蚀电流密度、腐蚀时间、氢氟酸浓度有关。当电流密度为500 mA/cm2,腐蚀时间为450 s,HF浓度为25%时,IgG在多孔硅基底上的固定量最大,IgG芯片对兔抗小鼠IgG抗体的检出限为10μg/L,检测线性范围为0.32~10.0 mg/L。本方法制备的大面积均匀的多孔硅基底能够应用于蛋白质芯片的制作,并具有制备工艺简单,蛋白质固定量大等优点。 相似文献
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[Pb(HL)(phen)]n(1) and [Cd3L2(phen)]n(2), where phen = 1,10-phenanthroline and L = 4,4'-(2-carboxylatopropane-1,3-diyl)dibenzoate, were hydrothermally prepared and fully characterized by X-ray single-crystal diffraction, infrared spectroscopy and thermogravimetric analyses. The decomposition temperature of 1 and 2 was measured to be ca. 304 and 416 ℃, respectively. The charge transfer transition based absorption of 1 and 2 was also verified by the powder scattering spectra and theoretical analyses. 相似文献
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