硫硒化亚锗光电探测器的制备及光电性能

采用微机械剥离法得到横向尺寸约为12 μm的硫硒化亚锗(GeS_0.5Se_0.5)纳米片, 以铬/金(Cr/Au)为接触电极, 首次制备得到GeS_0.5Se_0.5光电探测器, 并探究了其光电性能. 结果表明, 剥离所得的纳米片具有良好的结晶质量, 硫和硒在纳米片中分布均匀, 光学带隙为1.3 eV; 该光电探测器在515 nm光激发下最大探测能力达到4.52×10¹³ Jones, 最高响应度为1.15×10⁴ A/W, 外部量子效率为2.79×10⁶%, 展现出非常高效、 快速和稳定的光响应能力.     

碲化锗场效应晶体管的制备及电学性能

采用微机械剥离法得到横向尺寸为10μm的碲化锗(GeTe)纳米片.通过电子束曝光和真空溅射镀膜的方法,以钛金合金为接触电极,制备基于二维碲化锗(2D-GeTe)纳米材料的场效应晶体管(FET),并测定了其电学性能.结果表明,剥离所得GeTe纳米材料具有良好的结晶性,光学带隙为1.98 eV,属于p型半导体;该场效应晶体管展现出了6.4 cm2·V-1·s-1的载流子迁移率和670的开关电流比的良好电学性能.