逐步回归分析在制备β-Sialon/SiC复合材料中的应用

以γ-Al2O3粉、金属硅粉、金属铝粉、SiC颗粒与细粉为原料,通过反应烧结的方法制备了β-Sialon/SiC复合材料;采用逐步回归分析方法对复合材料坯体的体积密度与原料的颗粒配比之间的关系进行了研究,得到了回归效果良好的数学模型,验证实验表明回归方程的预报结果与实验值相当接近,回归方程可用于β-Sialon/SiC复合材料常温物理性能的预报.     

MgO晶须的物相组成和微观形貌多样性

采用适当MgO-Al比例物料,压制成型后放入气氛炉中于1500℃烧制6h,最终在样块表面得到 MgO晶须.晶须的物相组成为方镁石,显微结构研究表明多数呈细长的柱状,顶端尖锐,长约600～800μm ,长径比100～200;晶须发育的纹理特征有多种,晶须的横截面有扁六边形、正六边形、菱形和正四边形以及不规则形状等多种,能谱分析表明晶须的形貌与化学组成有关.     

基于插层化学的单晶氧化钨纳米片的制备、表征与形成机制

结合插层化学与湿化学方法的优点, 建立了一种高比表面积、大径厚比、易分散的二维氧化钨(WO3)纳米片单晶的制备新方法. 微米级WO3与Bi2O3在800 ℃通过固相反应生成层状化合物Bi2W2O9; 所得到的Bi2W2O9经盐酸选择性溶出[Bi2O2]层后得到质子化形式的H2W2O7·xH2O相. 以H2W2O7·xH2O为钨源, 以辛胺插层所得无机-有机混杂纳米带为前驱物, 经硝酸氧化除去前驱物中的有机组分后得到正交相WO3·H2O纳米片; 将所得到的WO3·H2O纳米片在250~ 450 ℃和空气气氛中热处理2~5 h(升温速率为2 ℃/min), 得到单斜相WO3单晶纳米片. TEM与SEM分析结果表明, 单晶WO3·H2O与WO3纳米片的形貌相似, 其大小为(200~500) nm×(200~500) nm, 厚度为10~30 nm; 所得WO3·H2O与WO3纳米片单晶的厚度方向分别为[010]和[001]. N2吸附结果表明, WO3·H2O与WO3纳米片的比表面积分别可达到250与180 m2/g.