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将不同比例的多壁碳管(MWNTs)与聚偏二氟乙烯(PVDF)聚合物混合后,喷涂于n型ZnO半导体纳米线阵列上,制备了一种新型ZnO纳米线基MWNTs/PVDF热电复合材料.与以往采用价格昂贵的p型与n型单壁碳纳米管(SWNTs)与聚合物混合制备的复合热电材料特性相比,这种新型热电复合材料在降低制造成本的同时,利用分散于聚合物中MWNTs的一维电子传输特性及形成的大量界面势垒,加上ZnO半导体纳米线具有的较高载流子密度与迁移率,提高了复合热电材料中电子的输运特性,增加了材料对声子的散射强度.测试发现,在一定的温度梯度下,随着MWNTs添加质量百分比的增加,热电材料的温差电动势和电导率也随之增加,但其Seebeck系数变化量不大.研究表明,这种热电材料有望替代采用p型与n型SWNTs构建的SWNTs/PVDF复合热电材料.研究结果对开发超轻、无毒、廉价、可应用于各种微纳电子领域的新型电源具有重要的参考价值. 相似文献
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提出了一种在圆波导中添加金属分割片及半边金属管壳的结构以实现圆波导TM01-TE11模式转换。通过金属分割片将圆波导分成两个半圆区域:其中一个半圆区域为空波导,另一半圆区域为填充一定厚度金属管壳的空波导。在S波段对设计的中心频率为2.8GHz的物理模型进行数值模拟与实验研究,模拟结果表明:在中心频率2.8GHz转换效率为99.56%,反射率低于0.01;在2.716~2.946GHz频带内转换效率大于90%,S11小于-10dB。实验中测试到的S11参数与模拟结果基本一致,证明了该变换器技术方案的可行性和模拟结果的正确性。 相似文献
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采用射频磁控溅射的方法制备了MoOx薄膜,并对MoOx薄膜进行不同气氛和时间的退火处理.退火使MoOx薄膜的氧空位增加,并改变了MoOx薄膜的晶相、电阻率和表面形貌.测试结果表明:未退火MoOx薄膜的表面不存在明显晶粒,且只包含1个单斜相衍射峰和较少的氧空位,这导致未退火MoOx薄膜的电阻率最高.当氮气做退火气氛时,MoOx薄膜表面存在均匀分布且生长取向相同的微粒,单斜相衍射峰数目更多,电阻率最低;在氮氢混合气中退火的MoOx薄膜表面存在团簇,且电阻率约为氮气退火MoOx薄膜的2倍.此外,当分别用氮气和氮氢混合气退火时,MoOx薄膜均呈现出随退火时间延长,氧空位含量增加,电阻率进一步降低的趋势. 相似文献
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提出了一种在圆波导中添加金属分割片及半边金属管壳的结构以实现圆波导TM01-TE11模式转换。通过金属分割片将圆波导分成两个半圆区域:其中一个半圆区域为空波导,另一半圆区域为填充一定厚度金属管壳的空波导。在S波段对设计的中心频率为2.8 GHz的物理模型进行数值模拟与实验研究,模拟结果表明:在中心频率2.8 GHz转换效率为99.56%,反射率低于0.01;在2.716~2.946 GHz频带内转换效率大于90%,S11小于-10 dB。实验中测试到的S11参数与模拟结果基本一致,证明了该变换器技术方案的可行性和模拟结果的正确性 相似文献
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