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1.
2.
制作了掺杂rubrene和4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9,enyl)-4H-pyran(DCJTB)两种荧光染料的红光有机电致发光器件。N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)-(1,1’-biphenyl)-4,4’-diamine(NPB)和掺杂的Tri-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)分别作为空穴和电子传输层。我们发现掺rubrene和DCJTB的器件性能与只掺DCJTB的器件性能相比有所提高。器件性能的改善是因为掺入的rubrene能够促进从Alq3到DCJTB的能量转移。根据荧光衰减曲线,计算出从Alq3到DCJTB、从Alq3到rubrene以及从rubrene到DCJTB的能量转移速率分别为1.04×109,3.89×109,2.79×109s-1。可以看出能量通过rubrene从Alq3到DCJTB的转移速率是能量直接从Alq3到DCJTB的2.7倍。 相似文献
3.
基于新型长周期光纤光栅的掺铒光纤放大器 总被引:10,自引:8,他引:2
报道了基于高频CO2激光脉冲写入的新型长周期光纤光栅的低噪音掺铒光纤放大器,这种新型长周期光纤光栅是用大约几千Hz的高频CO2激光脉冲对光纤玻璃热冲击作用而形成的.在铒纤中插入一个长周期光纤光栅,会明显减少掺铒光纤放大器的放大自发辐射(ASE)噪音.报道了两种低噪音掺铒光纤放大器,作为前置放大器和线路放大器,它们的ASE噪音指数分别从4.0 dB减少到3.5 dB和从4.8 dB减少到4.3 dB,并且在作为线放时,其小信号增益从30 dB提高到37 dB,降噪及提高增益效应十分显著. 相似文献
4.
5.
6.
7.
利用SHS等离子喷涂技术,将经过机械团聚法制备的Fe2O3-Al复合粉体送入等离子焰流,沉积出厚度约为400 μm的复合涂层.利用XRD,SEM 和TEM等检测手段对涂层的成分和组织进行了分析,测定了涂层的显微硬度、断裂韧性以及耐磨性.结果表明涂层为具有纳米结构的FeAl2O4-Al2O3-Fe纳米复合组织;涂层的显微硬度为HV100g870;断裂韧性是普通Al2O3涂层的2倍;无润滑磨损的耐磨性是普通Al2O3涂层的2.5倍. 相似文献
8.
本文描述了贝叶斯预测的基本思想以及动态线性模型.系统地讨论了一阶多项式动态线性模型.它是最简单、应用最广泛的一种模型.它体现了动态线性模型的许多重要的基本概念和分析特性.本文介绍了卡尔曼滤波递推算法,并分别根据已知和未知观测方差详细给出了它们的先验分布,预测分布和后验分布.根据实践中 W_t 不易求出,文中引入了折扣概念.并讨论了一阶多项式折扣贝叶斯模型及其预测.最后还讨论了具有实用价值的主观干预模型及其预测方法. 相似文献
9.
Compact Single-Stage Femtosecond Multipass Ti:Sapphire Amplifier at 1 kHz with High Beam Quality
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A compact femtosecond Ti:sapphire amplifier system is reported using single-stage multipass configuration with high beam quality. A high dispersion glass stretcher and a pair of double prisms for compression are introduced based on broadband femtosecond seed pulses. The non-grating-based pulse stretcher and compressor are advantageous to increase high beam quality and to reduce the high-order dispersion. A Gaussian filter is used to reduce the gain narrowing effect in amplification. The compact femtosecond Ti:sapphire nine-pass amplifier delivers pulses with a duration of 26 fs and an energy of 800μJ at 7mJ pumping pulses energy at I kHz. The 1-kHz femtosecond amplifier with high beam quality and high stability is very suitable for ultrafast physics research applications, such as attosecond science, ultra-precision micromachining, and THz wave generation. 相似文献
10.
在变缓冲层高迁移率晶体管(MM_HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能.
关键词:
变缓冲层高迁移率晶体管
Shubnikov_de Hass 振荡 相似文献