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新课程下中学数学学习训练的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
上海市教育委员会《改进中学课堂教学的几点意见》(2005,3)中指出:数学学习训练是数学教学的一个有机组成部分,是教学过程的重要环节,是学生学习数学的重要途径.教师要从训练的目的、要求、内容、形式等方面,不断地改善数学学习训练.数学学习训练是数学教学的一个重要组成部分, 相似文献
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采用光辅助金属有机物化学气相沉积技术,在LaAlO3(100)单晶衬底上外延制备约500 nm厚YBCO/ND-Y2O3/YBCO薄膜.用X射线衍射技术分析薄膜的物相结构和外延特性,通过扫描电子显微镜观察薄膜的表面与截面形貌.主要研究了不同生长时间的Y2 O3纳米点对YBCO超导薄膜性能的影响.Y2 O3纳米点生长时间为2Os样品的临界电流密度达到2.4 MA/cm2(77 K,0T),与未生长Y2O3纳米点的YBCO薄膜相比,其临界电流密度提高20;.分析表明,薄膜中的Y2O3在YBCO薄膜内部起到了有效钉扎中心作用,提高了临界电流密度. 相似文献
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为提高InSb红外探测器室温下的工作性能,设计了GaSb/InSb/InP异质结构,并对结构中俄歇复合与肖克莱-瑞德复合两种复合机制对漏电流的影响进行研究。利用TCAD仿真工具对InSb探测器件进行建模,分析得到能带结构与载流子分布。以能带参数为基础,根据连续性方程,结合漂移扩散模型,分析了俄歇复合在反偏压下的衰减效应,并综合肖克莱-瑞德复合的影响,计算出不同缺陷浓度下器件的漏电流。利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术制备GaSb/InSb/InP异质外延样品,对其漏电流进行测试,并与仿真结果进行对比分析。实验结果表明,计算结果与实验结果一致,器件工作性能的主要限制为肖克莱-瑞德复合机制,器件的漏电流为0.26 A·cm~(-2),品质因子R_0A为0.1Ω·cm~2。相比于同质InSb结构,器件的R_0A提高了一个数量级,已接近实用化水平。 相似文献
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三类与Riemann Zeta函数有关的级数的求和公式 总被引:4,自引:0,他引:4
本文采用组合数学的方法,利用第二类Stirling数和Bernoulli数给出级数∑∞k=2k^mξ(2k)及∑∞k=1(2k+1)^mξ(2k+1)其中m≥1,ξ(x)=ξ(x)-1)的求和公式。这些公式表述简洁并有鲜明的规律性。 相似文献
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改造铂电阻温度变送器使之适用于计算机的采集与控制,进一步提高控温和显示精度,这是目前我国测温控温领域中的迫切任务。本文不仅给出了该变送器的电路,而且给出了具体的测量数据。 相似文献
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李国兴 《新疆大学学报(理工版)》1981,(2)
本文从文氏电桥基本原理出发引出起振条件,用实验方法验证基本定理,从实验课教学出发引入电路参数的测量及基本指标测量。 相似文献
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High-crystalline GaSb epitaxial films grown on GaAs(001) substrates by low-pressure metal–organic chemical vapor deposition
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Orthogonal experiments of Ga Sb films growth on Ga As(001)substrates have been designed and performed by using a low-pressure metal–organic chemical vapor deposition(LP-MOCVD)system.The crystallinities and microstructures of the produced films were comparatively analyzed to achieve the optimum growth parameters.It was demonstrated that the optimized Ga Sb thin film has a narrow full width at half maximum(358 arc sec)of the(004)ω-rocking curve,and a smooth surface with a low root-mean-square roughness of about 6 nm,which is typical in the case of the heteroepitaxial single-crystal films.In addition,we studied the effects of layer thickness of Ga Sb thin film on the density of dislocations by Raman spectra.It is believed that our research can provide valuable information for the fabrication of high-crystalline Ga Sb films and can promote the integration probability of mid-infrared devices fabricated on mainstream performance electronic devices. 相似文献
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采用光辅助金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法,在生长有CeO2/YSZ/Y2O3(YSZ为Y稳定的ZrO2)缓冲层的双轴取向Ni衬底上进行了YBa2Cu3O7-x(YBCO)外延膜生长,并与LaAlO3(100)[LAO(100)]单晶衬底上的YBCO外延膜生长进行了对比.发现在Ni衬底上c轴取向YBCO外延膜的生长温度比LAO衬底上的生长温度低约30℃,但生长速度更快.经分析认为,这种差别主要是由于Ni衬底的热导率比LAO衬底高造成的.Ni衬底及LAO衬底上生长的c轴取向YBCO外延膜的超导极限电流密度(Jc)分别约为0.5 MA/cm2及1.8 MA/cm2. 相似文献