固相反应法合成黄铜矿型CuInSe2多晶粉末及其蒸发薄膜的光电性能分析

本文用室温固相反应法和真空蒸发法分别合成了黄铜矿型CuInSe-2多晶粉末和制备了富Cu的Cu-xIn-{l-x}Se-2薄膜用XRD,ICP HALL和UVVIS波段光透射技术分别测量了样品的原子结构,化学成分及光电性能发现在两元固相反应中,InSe反应很不完全而CuSe就不能反应,而三元固相反应的粉末样品中即使有些杂质,但黄铜矿型CuInSe-2的衍射峰非常突出,而且所得粉末样品都是富Cu的,说明在固相反应过程中In有损失化学配比固相反应合成的样品在基片温度较低时其真空蒸发薄膜是非晶,高温时则是择优取向非常明显的多晶样品的禁带宽度变化不大(1.47~{1.58}eV)不同配比样品在基片温度300℃时蒸发样品的禁带宽度变化很大(1.58~1.97eV),而且电学数据变化也较大,霍尔迁移率从几十到几百cm 2/V.s,面载流子浓度从10 6到10 9/cm 2     

希土永磁材料Nd-Fe-B氧化过程及抗氧化新体系的研究

Nd-Fe-B永磁体的热稳定性较差,易氧化,氧化使材料的结构受到破坏,永磁性能受到不可恢复的损失。氧化过程是分阶段的,在室温和干燥的空气中是稳定的,150℃左右受到破坏的主要原因是体系中钕的氧化,230℃以上铁开始氧化,温度升高使氧化加快,800℃左右氧化基本结束,最终产物主要是Fe_2O_3、Nd_2O_3和NdBO_3。新研制的Nd-Fe-B-Si四元体系的抗氧化能力有较大的提高,居里温度也提高了许多,是一种大有发展前途的新材料。