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本文报道了用流动放电-化学发光技术测定O(~3P)和硅烷化学反应速率常数.在293—413K范围内, 结果为k=(1.05±0.36)×10~(-10)exp[(-3.06±0.10) kcal·mol~(-1) /RT] cm~3·molecule~(-1)·s~(-1)并用过渡态理论将上述实验结果外推到200—2000 K范围内. 计算结果以三参数公式表示为: k=7.67×10~(-19) T~(2.59) exp(-720 cal·mol~(-1)/RT) cm~3·molecule~(-1)·s~(-1). 相似文献
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A high-permittivity (high-k) material is applied as the gate dielectric layer in a silicon metal-oxide- semiconductor (MOS) capacitor to form a special electro-optic (EO) modulator. Both induced charge density and modulation efficiency in the proposed modulator are improved due to the special structure design and the application of the high-k material. The device has an ultra-compact dimension of 691 μm in length. 相似文献
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紫激光作用下四甲基硅的光谱和质谱研究 总被引:5,自引:0,他引:5
本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离(MPI)光谱及飞行时间(TOF)质谱的研究。得到了激光激发波长在402~392nm内的多光子电离光谱,获得了某些波长处的飞行时间质谱,并据此讨论了该分子在这个区域内可能的MPI机理。 相似文献
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