Ar离子束作用下C60薄膜的结构稳定性研究

利用XPS和AES研究了在Ar离子束作用下C60薄膜的分子结构的稳定性．研究发现C60分子与Ar离子束作用后，C1s结合能从284．7eV逐步下降到284．4eV，CKLL俄歇动能从270．0eV增加到271．3eV．并且C60薄膜在与氩离子束作用后，其C60分子结构特征的C1s携上峰及价带峰均消失．表明Ar离子束可以促使C60分子的C＝C双键断裂，离域π键消失，C60分子分解为单质碳．C＝C双键断裂过程与离子束的能量和辐照时间有一定的函数关系．     

BBDMS-PPV/ITO界面结构ADXPS研究

聚合物电致发光器件（Polymer Electroluminescent Device,PLED)已显示出广阔的应用前景^[1-6]。已往人们比较重视阴极材料的选择及相关金属与有机界面的研究^[7],而有关发光层或空穴传输层与阳极ITO膜之间的界面结构及化学问题则少见报道。事实上,ITO膜与有机层之间的作用对器件的可靠性及寿命具有更为严重的影响^[8,9]。由于异质界面的过渡层结构复杂,以纳米尺度上化学组成是非计量比的,因此对这种极薄的埋藏界面的研究方法还需进一步探索。本文通过模型试样制备和变角X射线光电子谱（ADXPS）技术,对PLED中共轭导电聚合物聚2,5－二（二甲基正丁基硅基）对苯乙烯撑（BBDMS－PPV）与阳极ITO膜所形成的界面结构进行了初步研究。     

尼龙1010在水润滑下的摩擦学特性与磨损机理

利用往复式摩擦磨损试验机，研究了尼龙１０１０在水润滑条件下与Ａ３钢对摩时的摩擦学特性，同时还利用扫描电子显微镜，付里叶变换红外光谱仪和Ｘ射线光电能谱仪，分别对试样磨损表面和磨屑的形貌及化学结构进行了显微观察与分析。结果表明：在给定的试验条件于干摩擦过程中的高约１个数量级，在水润滑条件下，尼龙１０１０的磨损机理除有干摩擦时的机械微切削外，还由于这种尼龙分子中酰胺基的水解和水分子的作用，削弱了尼龙表层     

Ar^＋离子辐照对碳纳米管电子结构的影响

应用ＸＰＳ和ＡＥＳ研究了碳纳米管结构稳定性，结果表明：低能电子束辐照不会改变碳纳米管的电子结构；相反，低能Ａｒ＾＋离子束即使辐照强度低剂０．２ｍＡ／ｃｍ＾２，也会引起碳纳米管电子结构的明显变化。     

GaAs(100)解理面的能带弯曲

在真空中解理后,用XPS测得了GaAs样品（110）断面能带弯曲的动态过程．两组重掺杂n型和p型GaAs样品的费米能级分别向禁带中间的方向移动了0.4eV和0．3eV.实验测得重掺杂n型和p型GaAs样品费米能级之差为1．3eV,它们的禁带宽度理论值为1．42eV,这说明结果是合理的．根据实验结果,对引起GaAs表面能带弯曲的可能原因进行了分析讨论．排除了本征表面态、真空中残留气体和X射线辐射等原因,认为解理过程在表面产生的缺陷和解理后表面晶格弛豫过程中产生的缺陷可能是导致能带弯曲的主要原因．     

Effects of Pt diffusion barrier layer on the interface reaction and electric properties of PZT film/Si (111) sample

The effects of the Pt diffusion barrier layer on the interface diffusion and reaction, crystallization, dielectric and ferroelectric properties of the PZT/Si(111) sample have been studied using XPS, AES and XRD techniques. Hie results indicate that the Pt diffusion barrier layer between the PZT layer and the Si substrate prohibits the formation of TiCx TiSix and SiO2 species in the PZT layer. The Pt barrier layer also completely interrupts the diffusion of Si from the Si substrate into the PZT layer and impedes the diffusion of oxygen from air to the Si substrate greatly. Although the Pt layer can not prevent completely the diffusion and reaction between oxygen and silicon, it can prevent the formation of a stable SiO2 interface layer on the interface of PZT/Si. The Pt layer reacts with silicon to form PtSix species on the interface of Pt/Si, which can intensify the chemical binding strength between the Pt layer and the Si substrate. To play a good role as a diffusion barrier layer, the Pt barrier layer     

金刚石颗粒表面Cr金属化及薄膜间界面扩散反应的研究

运用直流磁控溅射法可在金刚石颗粒表面沉积150nm的金属Cr层.在超高真空条件下,经300-600℃的热退火处理,可促进Cr膜与金刚石基底间的界面扩散和反应.利用俄歇电子能谱研究了Cr/金刚石颗粒界面的结合状态,发现Cr与金刚石薄膜发生了强烈的界面扩散,Cr元素渗入金刚石层达90nm,并在界面上发生化学反应形成Cr的碳化物层.对界面扩散反应动力学的研究表明,Cr/金刚石界面扩散反应的表观活化能为38.4kJ/mol,界面扩散反应主要由碳的扩散过程控制.热处理温度越高,界面扩散及反应越显著,但不利于碳化物层生成的氧化反应速度也会有所增加,界面反应产物从Cr₂C₃转变为Cr₂C物种.延长热处理时间有利于金属碳化物的生成,同样导致界面反应产物从Cr₂C₃转变为Cr₂C物种.     

La-Ce-Cu系列催化剂SO2中毒机理研究

采用NH_4NO_3共熔法合成La－Ce－Cu系列样品，并通过XRD分析了样品的相组成。XRF证明了系列样品组成均为氧缺陷型化合物．用TEM研究了样品的表面结构，发现随着SO_2中毒的加深，Cu向表面偏析与S结合生成新的化合物，导致了原晶体结构的变形，同时证明纯CeO_2不发生S中毒．XPS研究表明：样品La_(.029)Ce_(0.57)Cu_(0.14)O_x中毒后Cu从La_2CuO_4中分解出来并与S结合生成CuSO_4；相应的CeO_2参与了中毒反应，生成Ce_2O_3,整个中毒反应如下：La_2CuO_4＋2CeO_2＋SO_2＝CuSO_4＋La_2O_3＋Ce_2O_3     

InP(110)理解面的能带弯曲

用XPS测得了真空解理后InP样品（110）表面能带弯曲的动态过程,并对引起InP表面能带弯曲的可能原因进行了讨论．排除了本征表面态、真空中残留气体和X射线辐射等原因,认为解理过程在表面产生的缺陷和解理后表面晶格弛像产生的缺陷可能是导致能带弯曲的原因．