n型硅脉冲激光掺铟的物理过程与缺陷特性研究

用Nd-YAG脉冲激光对n型硅掺铟,形成外p⁺n结。利用二次离子质谱仪(SIMS)、卢瑟福背散射(RBS)等方法,研究了硅内铟的分布,并分析了用20ns脉冲激光硅掺铟的物理过程,发现当激光能量密度足够大时,在硅表面层存在硅-铟混合熔体和液态硅两部分。当激光能量密度较小时,硅表面层仅有液态硅层、用I-V,C-V和深能级瞬态谱(DLTS)等方法研究了p⁺n结的电学性质,发现在p⁺n结的n区存在两个缺陷。一个能通过快速热退火,在600℃,60s条件下消失,研究表明可能为空位与杂质的复合体。另一个通过快速热退火不能消失,可能与位错有关。 关键词：     

金属的霍耳效应

一、前言霍耳效应是在1879年研究铜的导电性能时发现的.如今已广泛地应用于半导体材料的研究和测试之中.相比之下,人们很少注重金属的霍耳效应.事实上,通过金属霍耳效应的观察和研究,有利于对金属导体导电机理的认识,了解自由电子气模型的不足,从而知道对一些反常现象必须用固体能带理论进行解释.随着真空镀膜技术的日益普及,目前已能制备很薄的金属膜样品,因此观察金属霍耳效应不再需要大电流和强磁     

非弹性电子隧道谱

非弹性电子隧道谱简称IETS,对它的研究开始于1966年,是一种较新的实验技术。从隧道结的制备到谱的获得,包含了高真空获得、金属薄膜淀积、低温液体使用以及弱讯号测量等多种实验技能的训练。因此,可以作为一个综合性的物理教学实验。     

核磁共振教学实验中的F_9~(19)样品制备

用已知的H_1~1核的g_N因子求F_9~(19)核的g_N因子,这经常是核磁共振教学实验的内容之一。具体办法是:先把具有H_1~1核的样品(例纯水)置于电磁铁所形成的主磁场中,固定射频场频率为f_1,调节主磁场强度,使在示波器上显示出等间距的共振吸收峰。然后,用具有F_9~(19)核的样品(例如聚四氟乙烯)替换下纯水样品,主磁场固定不变,调节射频场频率,使在示波器上再现等间距的共振吸收峰,这时,对应的射频场频率为f_2。F_9~(19)核的g_N因子可以由下式求得:     

大功率CO_2连续激光镀制超导铅膜研究

设计与安装了光学元件免受蒸发源污染的CO_2连续激光镀膜装置,并用它镀制了超导铅膜。所制铅膜与常规热蒸镀铝膜性能的比较表明,激光镀膜法能得到污染少而结晶性更好的超导铅薄膜。     

行星际尘成分的新发现——锂和硼

本文使用二次离子质谱仪分析研究来自美国NASA(National Aeronautics and Space Administration)Johnson Space Center的IDPs(Interplanetary Dust Particles)时,首次发现在IDPs中有锂和硼及其同位素。     

环氧树脂的飞行时间次级离子质谱

用飞行时间次级离子质谱结合银离化方法了集成电路封装用环氧模塑料的主要成分－－领甲酚环氧树脂。实验中测得ｎ＝０－４的树脂分子及相应的水解成分。碎片离子中除了芳香化合物通常具有的碎片外,还有反映树脂结构的碎片,通过对银离化了子的分析,推断中间不上的侧链是最可能断裂的