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硫堇衍生化自组装膜修饰金电极的电化学性质及其对抗坏血酸的电催化氧化 总被引:6,自引:0,他引:6
将硫堇共价键合到自组装在金电极表面的半胱胺单分子层上,制成了衍生化自组装单分子膜修饰电极,并用电化学方法研究了它的电化学性质.循环伏安图显示其在pH=7.7的磷酸盐缓冲液中,于-0.45~+0.50V(vs.SCE)范围内有2对氧化还原峰.峰电位分别为Epa1=214mV。Epc1=82mV,Epa2=-75mV,Epc2=-160mV(vs.SCE).pH在5.0~9.0范围内,峰1有2个质子参与反应,峰2有1个质子参与反应.它的表面电子转移速率常数ks=0.02S-1.此膜对抗坏血酸的氧化有催化作用,其氧化过电位较在裸金电极上降低了约250mV.催化电流与抗坏血酸的浓度在1.0×10-6~4.0×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系.抗坏血酸催化氧化的异相速率常数为2.68×10-3cm/s. 相似文献
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多巴胺在硫堇衍生化自组装膜修饰金电极上的伏安行为及其安培测定 总被引:12,自引:1,他引:12
研究了多巴胺在硫堇衍生化自组装膜修饰电极上的电化学行为。DA在该修饰电极上的ΔEp-70mV,循环伏安峰形对称,氧还峰电流之比接近1,为准可逆反应。研究了温度,Ph对DA氧还原的影响,并求得了其热力学参数。 相似文献
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陈洪渊先生1937年12月24日出生于浙江三门,1961年毕业于南京大学化学系放射化学专业,留校任教至今,是我国著名的分析化学家和教育家.1981-1984年联邦德国访问学者.2001年当选为中国科学院院士. 相似文献
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硫堇衍生化自组装膜修饰金电极的电化学性质及其对抗坏血… 总被引:3,自引:0,他引:3
将硫堇共价键合到自组装在金电极表面的半胱胺单分子层上,制成了衍生化自组装单分子膜修饰电极,并用电化学方法研究了它的电化学性质,循环伏安图显示其在pH=7.7的磷酸盐缓冲液中,于-0.45~+0.50V(vs.SCE)范围内有2对氧化还原峰,峰电位分别为Epa=214mV,Epc=82mV,E^2pa=-75mV,E^2pc--160mV(vs.SCE),pH在5.0~9.0范围内,峰1有2个质子参 相似文献
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Introduction Cytochrome c (cyt c) is probably the most thor-oughly studied redox protein. It contains one Fe(III) redox center located in a haem unit which is approxi-mately spherical shape with 3.4 nm diameter and 12384 Dalton molecular weight. On metal electrode surfaces it usually shows a short lived, transient response. Many factors can impede direct electron transfer between electrodes and cyt. c, including adsorption onto elec-trode surfaces of macromolecular species (impurities) or de… 相似文献
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