Electron tunneling in single layer graphene with an energy gap

When a single layer graphene is epitaxially grown on silicon carbide,it will exhibit a finite energy gap like a conventional semiconductor,and its energy dispersion is no longer linear in momentum in the low energy regime.In this paper,we have investigated the tunneling characteristics through a two-dimensional barrier in a single layer graphene with an energy gap.It is found that when the electron is at a zero angle of incidence,the transmission probability as a function of incidence energy has a gap.Away from the gap the transmission coefficient oscillates with incidence energy which is analogous to that of a conventional semiconductor.The conductance under zero temperature has a gap.The properties of electron transmission may be useful for developing graphene-based nano-electronics.     

吸光光度法测定水中微量阴离子表面活性剂

目前用于测定水中阴离子表面活性剂的国标方法是亚甲蓝吸光光度法。该法不仅操作繁琐、准确度差、易受各种共存物的影响 ,而且灵敏度低 ,最低检测浓度仅为 0 .0 5ｍｇ·Ｌ- 1,难以满足残留量的测定要求。本文在前人工作的基础上运用Ｃｏ ＰＡＤＡＰ方法进行水中微量阴离子表面活性剂试验 ,最低检测浓度为 0 0 2ｍｇ·Ｌ- 1,干扰物质少 ,准确度和重现良好。1　试验部分1.1　主要仪器与试剂72 1型分光光度计Ｃｏ ＰＡＤＡＰ的合成 :称取 5 Ｂｒ ＰＡＤＡＰ 1.0 0 ｇ溶于 30ｍｌ盐酸 (2ｍｏｌ·Ｌ- 1)中 ,加入 50 ｇ·Ｌ- 1ＣｏＣｌ2·6Ｈ2 Ｏ…     

PEBAX®2533/PSf中空纤维复合膜制备及阻力性能

采用浸渍涂层法制备了聚醚共聚酰胺(PEBAX®2533)/聚砜(PSf)中空纤维复合膜. 考察了涂层液浓度、 温度和基膜预处理对复合膜结构、 阻力及渗透性能的影响, 并考察了操作压力对膜渗透性能的影响. 实验结果表明, 随着涂层液浓度的增加, 复合膜致密层厚度及阻力增大, 复合膜总阻力及支撑层阻力先增大后减小, CO2渗透速率先减小后增大, 分离系数增大. 随着涂层温度升高, 复合膜致密层厚度及阻力减小, 支撑层阻力增大, 复合膜总阻力先减小后增大, 分离系数和渗透速率先增大后减小. 经过预处理, 复合膜致密层厚度减小、 阻力大幅度减小, CO2渗透速率增大58%, 分离系数略有下降. 复合膜支撑层阻力过大, 尤其是支撑层的致密结构影响复合膜的塑化行为.     

钙钛矿及类钙钛矿热致变色单晶材料的研究进展

随着人们对智能光伏玻璃、智能温度传感器等智能光电器件的需求增加,卤化物钙钛矿热致变色材料逐渐走进大众视野,由于钙钛矿材料的颜色可随温度发生快速响应,且该循环可逆,其在智能变色半导体器件中的应用相关研究已获得了广泛的关注。本文从钙钛矿单晶材料出发,首先介绍了钙钛矿及类钙钛矿单晶材料的几种常用液相制备方法。随后分别重点介绍了三维卤化物钙钛矿、低维类钙钛矿等几类单晶材料的热致变色现象,包括不同类型的材料因结构不同,而表现出两种不同的热变色机理:以低维类钙钛矿材料为代表的结构相变和以双钙钛矿材料为代表的晶格膨胀。对比了不同单晶材料热致变色性能的优劣,如是否具有可逆性等,同时介绍了其在多功能应用领域的发展潜力。最后对钙钛矿热致变色材料目前面临的挑战和未来的发展进行了展望。     

靶向抗肿瘤药N-(N’-苄氧羰基甘氨酰脯氨酰)丙卡巴肼(Z-GP-Pcb)的环境友好合成及其透过血脑屏障活性评价

利用靶向策略设计了抗肿瘤药物N-(N’-苄氧羰基甘氨酰脯氨酰)丙卡巴肼(Z-GP-Pcb),发展了3步法合成丙卡巴肼(Pcb).首先以4-甲基苯甲醛为原料,经二溴异氰脲酸(DBI)转化为N-异丙基-4-甲基苯酰胺.该化合物经2-碘酰基苯甲酸(IBX)直接氧化为N-异丙基-4-甲酰基苯酰胺,随后还原胺化得Pcb.最后与N-苄氧羰基甘氨酰脯氨酸缩合得Z-GP-Pcb,总收率49.9%.另外,本研究还建立了体外平行人造膜渗透测血脑屏障(PAMPA-BBB)方法评价Z-GP-Pcb透过血脑屏障(BBB)活性,发现其透膜常数(Pe)为(19.22±4.25)×10^-6cm·s^-1,大于母药Pcb[(11.14±1.34))×10^-6cm·s^-1],具有较高的透过BBB活性.     

The magneto-thermoelectric effect of graphene with intra-valley scattering

We present a qualitative and quantitative study of the magneto-thermoelectric effect of graphene. In the limit of impurity scattering length being much longer than the lattice constant, the intra-valley scattering dominates the charge and thermal transport. The self-energy and the Green's functions are calculated in the self-consistent Born approximation. It is found that the longitudinal thermal conductivity splits into double peaks at high Landau levels and exhibits oscillations which are out of phase with the electric conductivity. The chemical potential-dependent electrical resistivity, the thermal conductivities, the Seebeck coefficient, and the Nernst coefficient are obtained. The results are in good agreement with the experimental observations.     

太赫兹半导体器件与应用——纪念刘惠春教授

文章是以作者和刘惠春教授多年合作的研究工作为基础写成的,主要内容为太赫兹(THz)半导体器件及其通信和成像应用,以此深切缅怀刘惠春教授。近十年来,THz科学与技术已取得了长足进步,它在物理学、材料科学、生命科学、天文学、信息技术和国防安全等多个领域的应用也已初现端倪。在这些应用中,半导体THz器件的发展起着举足轻重的作用。文章着重介绍了作者近年来在半导体THz器件与应用方面的研究进展,主要内容包括基于负有效质量的电子学THz振荡器、飞秒激光泵浦半导体THz辐射源、基于量子阱子带间跃迁的THz量子级联激光器和THz量子阱探测器,以及基于这些器件的THz无线通信和成像应用研究。此外,文章还对未来THz技术的发展进行了简要的探讨。