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采用不同方法制备出单一或掺杂Cu2+离子的钙锰矿, 分析了其隧道或者骨架结构中掺杂Cu2+离子的合成条件, 并应用粉末微电极考察了其电化学活性和稳定性. 单一或骨架中掺杂Cu2+离子的钙锰矿可在常压回流条件下制备; 隧道中掺杂Cu2+离子的钙锰矿须经高温高压热液反应合成, 且反应温度是影响产物纯度的主导因素. 钙锰矿在高pH值溶液中电化学稳定性较好; 骨架中掺杂Cu2+离子可提高钙锰矿的电化学活性和稳定性, 而隧道中掺杂Cu2+离子的钙锰矿电化学活性较低; 结合循环伏安法进一步证明了后者掺杂的Cu2+离子主要位于钙锰矿的隧道中. 相似文献
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