高分辨双晶XRF研究酞菁化合物中硫杂质的化学态

酞菁化合物是一种大π键共轭体系的平面分子结构，它以颜色鲜艳、化学稳定性和价格便宜等特点，已在颜料工业上得到了广泛地应用．随着高科技的发展，酞菁化合物的应用进入静电复印的领域．研究中发现：酞普化合物的晶体结构直接影响它的色泽、耐热性、稳定性以及光电导性．在诸多的酸苦晶型中，β-型酞菁是比较稳定的一种，其它晶型届亚稳态型．近年来，光敏性较好的X-型用于激光印刷机感光鼓的载流子产生层［1］．用作静电复印中的酞育粗颜料，一般多为a一型，且含有大量的有机和无机杂质[2]，经高温真空升华提纯后，转变为卢一型．有趣…     

~1Σ~＋Ni─CO分子簇的从头算研究

采用ＵＨＦ及ＵＭＰ＿２方法，对~１Σ~＋Ｎｉ─ＣＯ分子簇的成键机制进行了从头算研究。计算表明，在σ空间，Ｎｉ~１Ｓ（ｄ~（１０））导出态的主要成键特征是ＣＯ５σ→Ｎｉ４ｓ的授键作用；而Ｎｉ~１Ｄ（ｄ~９ｓ~１）导出态的主要特征是４ｓｐ＿σ极化。在~１Σ~＋Ｎｉ─ＣＯ分子簇中总的成键机制是：ｄ~（１０）导出态中π反馈作用大于σ授键作用；而ｄ~９ｓ~１导出态中σ授键作用强于π反馈作用。由于接受配键机制一定伴随着轨道之间的重叠，因而为了给出合理的Ｍ─Ｌ作用分析，进行补偿计算是重要的。     

甲基氯硅烷的气液色谱分析

1.介绍2-硝基联苯作为分离甲基氯硅烷和四氯化硅的固定液。它比硝基苯的毒害小,在柱温55℃能将四种组分完全分离。2.介绍了一种防止氯硅烷水解的毛细管压碎法的试样导入器。3.描述了一种结构简单牢固、制作方便的金属的钨丝热导池。     

~3Δ、~3Π、~3Σ~＋Ni—CO分子簇的从头算研究

用从头算研究了ｄ空穴位置不同对Ｎｉ—ＣＯ成键机制的影响。结果表明，Ｎｉ—ＣＯ键中σ／π接受作用的相对强弱，取决于Ｎｉ—ＣＯ簇所处的能态。σ空间电子云较π空间电子云弥散，因而Ｎｉ—ＣＯ簇的稳定性与σ空间电子云的排斥密切相关。随着Ｎｉ４ｐσ轨道上电子占据数的增加，Ｎｉ—ＣＯ稳定性减弱。比较了分子簇Ｎｉ—ＣＯ与ＮｉＣＯ分子及ＣＯ／Ｎｉ化学吸附体系之间的性质。     

水溶性金属卟啉肿瘤靶向磁共振成像造影剂的研究

利用显微荧光－阿达玛变换三维图像分析研究了Ｃｕ－ＴＳＰＰ，Ｍｎ－ＴＳＰＰ，Ｃｕ－ＴＭＡＰ，Ｍｎ－ＴＭＡＰ４种水溶性金属卟啉人细胞间质进入肿瘤细胞内的富集过程，对金属卟啉的自旋－晶格驰豫性能（Ｒ１）的天空结果表明，Ｍｎ（Ⅱ）卟啉配合物的Ｒ１、值结Ｇｄ－ＤＴＰＡ提高１．５－２倍。     

纳米尺寸团簇NinZrn(n=3～5)的几何结构与成键规律研究

根据化学键理论与拓扑原理，设计了团簇NinZrn(n=3-5)的可能几何构型，并用从头算方法进行构型优化，结果表明，由NiZr组成的团簇原子间的Zr-Zr和Zr-Ni键明显较强，而Ni-Ni的成键较弱，并发与NinZrn(n=3-5)团簇电子性质与有机烯烃分子等瓣相似，原子之间的成键按照强弱相间的规则分布。     

28 W环绕式高密度注入波导激光器

报道了一种新型结构形式的环绕式高密度注入波导激光器原理样机。采用环绕式高密度侧面注入技术,利用经过特殊工艺处理的裸增益光纤,当注入泵浦功率320 W时,获得了最高输出功率为28 W的连续激光,斜率效率20%,中心波长1080 nm。结果表明,环绕式高密度注入波导结构形式是可行的,且输出功率和斜率效率具有较大的提升空间。     

SN2反应X-l+CH3XrXlCH3+X-r(Xl=Xr=F, Cl, Br, I)的价键方法研究

应用最近发展的价键组态相互作用(VBCI)方法计算了SN2反应X-l+CH3Xr→XlCH3+X-r(Xl=Xr=F, Cl, Br, I)的反应能垒和价键相关参数. 计算结果表明, VBCI能垒与采用分子轨道理论的CCSD(T)方法计算的能垒相一致. 讨论了SN2反应的反应参数.     

计算机模拟铌原子簇的稳定构型和能量性质

采用密度泛函(DFT)方法结合全局优化"Basin-Hopping"算法研究了铌原子簇: 对于Nb小簇n＝2～6我们用密度泛函方法计算了它们的稳定几何构型和电子结构, 通过拟合计算结果构造铌原子簇势能函数, 并利用该函数和全局优化"Basin-Hopping"算法得到较大铌原子簇(n＝7～20)能量极小的结构. 计算结果表明与实验及其它计算结果相一致.     

TixNy团簇结构的密度泛函研究

采用杂化密度泛函方法(B3LYP)和有效核势基组预测了Ti_xN_y (x≤3, y≤2)团簇的结构及稳定性, 并分析了可能存在构型的电子结构. 结果表明Ti₂N中体系的自旋多重度由Ti原子决定. Ti₃N中随着N的配位数增加, N的负电荷增加, 平均每个Ti向N提供约0.3个电子. 从Ti₂N₂可能稳定构型分析, 成键数目越多, 能量上越有利, 且Ti—N键的数目的增加, 将削弱N—N间的成键.