首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   60篇
  免费   37篇
  国内免费   17篇
化学   44篇
晶体学   5篇
力学   14篇
数学   1篇
物理学   50篇
  2023年   1篇
  2020年   1篇
  2019年   2篇
  2018年   2篇
  2017年   1篇
  2016年   1篇
  2014年   2篇
  2013年   2篇
  2012年   3篇
  2011年   6篇
  2010年   4篇
  2009年   7篇
  2008年   3篇
  2007年   3篇
  2006年   9篇
  2005年   7篇
  2004年   14篇
  2003年   12篇
  2002年   8篇
  2001年   4篇
  2000年   1篇
  1999年   6篇
  1998年   2篇
  1997年   3篇
  1996年   2篇
  1994年   1篇
  1993年   2篇
  1992年   1篇
  1984年   1篇
  1982年   2篇
  1981年   1篇
排序方式: 共有114条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
电流密度对钙磷沉积层组成和结构的影响(英文)   总被引:2,自引:1,他引:2  
用X射线衍射、激光拉曼光谱以及等离子体原子发射光谱等技术研究了电化学沉积钙磷陶瓷过程中 ,电流密度对电沉积层组成和结构的影响 .实验表明阴极表面得到的沉积物是几种钙磷盐组成的混合物 ,且其成份随电流密度的改变而发生较大的变化 .在电解液温度为 75℃条件下 ,当控制电流密度较低时 ,沉积层主要由CaHPO4· 2H2 O (DCPD)和Ca8H2 (PO4) 6· 5H2 O (OCP)组成 ;随着电流密度的增加 ,阴极表面逐渐生成Ca3 (PO4) 2 ·nH2 O (TCP)和Ca10 (PO4) 6(OH) 2 (HAP) .当电流密度大于 5mA/cm2 时 ,电沉积层的主要成份为羟基磷灰石 (HAP) .  相似文献   
2.
报道了山西西山焦煤飞灰,在小型循环流化床气化反应器上,以二氧化碳为气化介质,在不同操作条件下(气速、固体循环速率)的气化反应。研究结果表明,CO出口浓度及碳转化率随着CFB操作气速减小、固体颗粒循环速率的增加而增加。即在CFB床中,提高气体、固体停留时间(床内固体颗粒浓度)有利于CFB气化的进行。CO浓度及碳转化率沿床高的变化趋势与床内颗粒浓度分布一致。  相似文献   
3.
This paper gives the general expressions for the compliance s′ijkl, Young's modulus E(hkl) and Poisson's ratio v(hkl, θ) along arbitrary loading direction [hkl] for tetragonal crystals. The representation surface for which the length of the radius vector in the [hkl] direction equals E(hkl) and representation curve for which the length of the radius vector with angle θ deviated from the reference directions [001^-], [100], [001^-], [101^-] and [112^-] equals v(100, θ), v(001, θ), v(110,θ), v(101,θ) and v(111, θ) respectively, are constructed for nine tetragonal crystals (ammonium dihydrogen arsenate, ammonium dihydrogen phosphate, barium titanate, indium, nickel sulfate, potassium dihydrogen arsenate, potassium dihydrogen phosphate, tin and zircon). The characteristics of them are analysed in detail.  相似文献   
4.
采用分光光度计分别测量了受不同剂量X射线照射后继续培养48h时的人上皮样喉癌细胞株Hep-2的培养基RPMI1640的紫外吸收光谱,分析了该培养基中蛋白质的紫外吸收特性.结果发现:各组培养基的吸收光谱存在明显的差别,新鲜培养基RPMI1640(10%胎牛血清)233nm处的吸收峰在细胞生长过程中位移至235nm,275nm处的吸收峰位移至278nm.反映出各组培养基中芳香族氨基酸中各种氨基酸如色氨酸、酪氨酸、苯丙氨酸的含量的变化,说明癌细胞在生长过程中对这几种氨基酸的改变不是按等量比的.实验还发现细胞培养基的吸收光谱强度与各剂量组细胞数基本成正相关,进而与细胞所受X射线照射的剂量有内在的联系.这些结果将为利用光谱技术研究人喉癌最佳X射线放射剂量奠定基础.  相似文献   
5.
采用密度泛函理论(DFT)方法,在LDA+U水平下详细研究了电场和应力作用下氮钝化扶手型氧化锌纳米带(NA8-ZnONRs)的电子结构和磁特性。对体系的电子结构和磁性进行详细的计算,结果表明:本征扶手型氧化锌纳米带(A8-ZnONRs)是无磁性P型半导体。氮钝化后NA8-ZnONRs具有铁磁金属性,其磁性主要来源于N2p轨道(2.56μB)和O2p轨道(0.69μB)电子的自旋极化,总磁矩为3.21μB。NA8-ZnONRs体系对X方向电场有较强的响应,通过调节X方向电场的幅度,可以有效调节体系的磁矩。在X方向电场作用下体系仍具有铁磁金属性,磁性也主要来源于N2p和O2p轨道电子的自旋极化。施加X方向应力作用后,体系仍表现为铁磁金属性。与NA8-ZnONRs纳米带磁矩相比,体系的总磁矩均发生了较大幅度的增长,表明体系对应力作用具有较明显的相应。但随着应力幅度的调节,总磁矩的变化较平坦。表明施加应力可以有效调节体系的磁矩,但在较小应力范围内,体系对应力变化的相应不明显。  相似文献   
6.
粗粒土与结构接触面受载过程中的损伤   总被引:8,自引:0,他引:8  
张嘎  张建民 《力学学报》2004,36(3):322-327
进行了粗粒上与结构接触面单调和循环加载试验,基于宏细观测量结果,扩展了损伤概念以描述该类接触面在受载过程中的物态演化,及由于物态演化导致的力学特性从初始状态到最终稳定状态的连续变化过程.揭示了接触面损伤的细观物理基础主要是接触面内土的颗牲破碎和剪切压密这两种物态演化;指出接触面的剪胀体应变可以划分为可逆性和不可逆性剪胀体应变两部分,其中不可逆性剪胀体应变可作为接触面损伤发展的宏观量度,因此其归一化形式可作为一种损伤因子的定义;提出了建立粗粒土与结构接触面一种损伤本构关系的基本思路.  相似文献   
7.
饱和土埋置力源的三维动力Lamb问题解答   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于一组弹性土波动方程,应用Fourier级数展开和Hankel积分变换,得到了三维问题饱和土骨架与孔隙水的应力及位移分量在变换域内的积分形式通解考虑地基表面透水情形,由边界条件导出了半空间饱和土体在埋置力源作用下的三维动力Lamb问题的解答给出了埋置水平力作用下地基表面竖向位移、径向位移及周向位移的数值解该研究为运用边界元法求解饱和地基的动力响应课题奠定了理论基础.  相似文献   
8.
加压下中国典型煤二氧化碳气化反应的热重研究   总被引:9,自引:1,他引:9  
用TG-151加压热天平,测定了三种典型中国煤在二氧化碳气氛下的气化反应活性。结果表明,反应速率与温度的关系符合Arrhenius定律,同时反应速率随着压力的增加而增加,但是随着压力的增加,压力对反应速率的影响越来越小。用下式dx/dt=k0 Pco2/1 αPco2 exp(-Eα/(RT)(1-X)^n模拟实验曲线的结果表明,n值随着温度的升高而降低,随压力的增加而增大。  相似文献   
9.
在镉离子浓度为5.00×10-5~2.00×10-4mol.L-1、甘氨酸与镉离子浓度比为100~400条件下,应用示差脉冲极谱技术测定不同溶液pH值时镉(Ⅱ)-甘氨酸体系的极谱峰电位和峰电流,依据极谱峰电位随溶液pH和自由金属离子浓度的变化关系曲线,建立合适的金属配合物体系模型。通过求解体系的质量平衡方程及拟合试验配合物形成曲线,用计算机分析程序优化得到MHL、ML、ML2、ML3和ML2(OH)五种金属配合物的稳定常数(lgβ)分别为9.67±0.15,4.35±0.02,7.83±0.03,10.04±0.04和11.48±0.13。  相似文献   
10.
fcc金属层错能的EAM法计算   总被引:10,自引:0,他引:10       下载免费PDF全文
采用嵌入原子法(EAM)计算了Cu,Ag,Au,Ni,Al,Rh,Ir,Pd,Pt和Pb等10种面心立方(fcc)金属的层错能,除Rh和Ir两种金属外,其他金属的计算结果和实验结果基本一致. 关键词: 面心立方金属 层错能 EAM  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号