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利用聚合物大分子作构建组分,将其掺杂到不同类型表面活性剂构成的溶致液晶中,考察对液晶相结构的影响.利用小角X射线散射及偏光显微镜对聚合物掺杂前后液晶的结构进行表征,并讨论了聚合物与液晶模板间的相互作用.对阴离子型表面活性剂琥珀酸二异辛酯磺酸钠(AOT)/水液晶体系,聚合物的嵌入使层间距d增大;而对非离子表面活性剂十二烷基聚氧乙烯醚(C12EO4)/水体系,除小分子量的聚乙二醇PEG400外,其它聚合物嵌入使d减小,表明聚合物分子类型、大小及浓度对溶致液晶的结构参数甚至组装方式有不同的影响机制. 相似文献
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用小角X射线散射研究了AOT/水层状溶致液晶的有序性. 通过对散射曲线的解析, 讨论了表面活性剂浓度、温度和助表面活性剂等三个方面对溶致液晶层状相结构有序性的影响. 在一定的范围内, 提高温度, 改变表面活性剂浓度和加入少量助表面活性剂可使碳氢链排列由稀疏转变为密实, 层状相也相应地由“柔性双层”过渡到更加有序化的“平面双层”. 基于形状因子和体系内分子间作用力, 提出了层状相形成与有序化的机理, 同时采用分子模拟的方法展现了不同浓度下的液晶结构. 相似文献
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β-Ga2O3纳米线是一种新型具有强发光特性的宽带隙半导体材料,作为探测器性能稳定巨可靠,近年来受到了极大的关注.本文主要采用化学气相沉积法(CVD),以Ag纳米颗粒为催化剂,在Si(100)衬底上生长了β-Ga2O3纳米线,经EDS、SEM、TEM等技术表征,证明其大部分遵循VLS生长机理,少许遵循VS机制.其中遵循 VLS 生长机制的β-Ga2O3纳米线更细更长,其形貌均匀一致,长度约为230~260 μm,直径约为150~180 nm,巨Ag颗粒皆在纳米线顶部. 相似文献
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