排序方式: 共有25条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
用熔融织构生长法(Melt-Textured-Growth)制备出具有高临界电流密度的YBa_2Cu_3O_y超导材料·片状的YBCO粉末烧结体被快速加热到包晶转变温度以上,慢速冷却通过包晶转变点,制成一种高密度层状结构的类单晶超导体。这种超导体具有很强的定向结晶组织和很强的晶粒间的连接。采用持续的直流电四引线法在77K温度下,测量了样品的临界电流密度J_c与外磁场H的关系。在2T场强下,J_c达到了23800A/cm~2。扫描电镜和高压电镜的观察表明,样品中除了有弥散的Y_2BaCuO_y和CuO非超导相颗粒外,还存在着大量的孪晶、位错、位错环以及堆垛层错等品格缺陷。这些缺陷对提高磁场下的J_c起着重要的作用,其中有些缺陷本身就是磁通钉扎中心。 相似文献
2.
3.
4.
1987年2月20日,中国科学院物理研究所赵忠贤、陈立泉等获得新的Ba基氧化物超导体,经过多次反复实验,表明该超导体的起始转变温度高达100K以上,从而在高临界温度超导体研究方面又一次获得重大突破. 新的超导体的主要成分包括钡、钇、铜、氧四种元素[Ba_xY_(5-x) Cu_5 O_5(3-y)]。样品的制备采用了新的工艺和新技术[1].超导转变温度的测量采用标准四引线电阻法和低频交流互感法.图1是采用这两种方法得到的超导转变曲线.由图1可以看出,样品的电阻起始转变温度在100K以上(电阻由线性变化过渡到非线性变化时的温度在 110K附近),中点转变温… 相似文献
5.
6.
本文给出一组经验公式,非常成功的计算了CGRT的磁阻。在温度范围从4.2至306K,磁场强度从0至19T,磁阻计算的误差小于0.5%,磁阻计算误差造成的温度误差小于0.2%。在磁汤强度从0至8T,温度差小于0.1%。 相似文献
7.
本文报告了扩散Nb_3Sn和气相沉积Nb_3Sn带材样品在4.2K、高磁场(~22T)下的临界电流测量结果,表明这两种材料具有良好的超导性能,在12T下,其Jc(Nb_3Sn)分别为3.0×10~3A/cm~2及2.9×10~5A/cm~2;在15T下分别为1.4×10~5A/cm~2及6.0×10~4A/cm~2.文中对测量结果进行了简要评价. 相似文献
8.
9.
SrTiO_4电容基本上不受磁场影响,但是它的灵敏度和使用温区有限,更大的缺点是测量时必须等半个多小时才能稳定,给实验带来不便.渗碳玻璃电阻温度计(CGRT)受磁场的影响比较小,其磁阻值可以精确计算.本文介绍了用在磁场中测量到的CGRT的电阻值,计算出磁阻造成温度误差,从而得到温度的精确值.为了使用方便,本文给出了磁阻造成温度误差的修正表,从而较方便地基本上消除了磁场造成的误差.在温度为4.2-88K,磁场为0-19T时,磁场造成误差小于0.l%;在88-306K,0-19T时,误差小于0.2%.本文还介 相似文献
10.