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用溶胶-凝胶方法制备了钠快离子导体Na_5YSi_4O_(12)(简称NYS)的纯相,应用交流阻抗谱技术测定了样品的离子电导和离子导电活化能,用扫描电子显微镜对用不同方法制备的样品烧结体表面进行了观察。与传统固相反应法制备的NYS离子导体相比,用溶胶-凝胶方法制备的NYS烧结体具有较好的界面效应。 相似文献
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微波固相法合成钠快离子导体Na5YSi4O12 总被引:6,自引:0,他引:6
应用微波方法合固相反应难于制备的Na5YSi4O12纯相,讨论了微波合成条件对产物的影响,与溶胶-凝胶法相比,微波法反应速率快,选择性强,合成的样品具有特异的聚集态,缺陷和微结构,从而导致离子导电活化能下降。 相似文献
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Anew sodium zincosilicate single crystal Na1.0Zn1.62Si1.38O4.84·0.6H2O with size of 0.3mm×0.3mm×0.3 mm was prepared by hydrothermal synthesis method. Powder X-ray diffraction analysis result shows that this compound is a new phase.The compound is stable up to 500℃. The results of ACimpedance measurement shows that its ionic conductivity at 450℃ is 2×10-4S·cm-1 and the activation energy for ionic conduction is 79.64 KJ/mol. 相似文献
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采用液态的叔丁基砷(tertiarybularsine,TBAs)和叔丁基磷 (tertiarybulphosphine,TBP)为源材料,用有机金属气相外延(metalorganic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长了与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InP超晶格. 高精度X射线衍射的结果表明,在InGaAs与InP单异质结界面处,存在一个压应变的界面层. 可利用相同的界面模型来模拟InGaAs/InP超晶格的X射线衍射实验结果. 该结果表明,TBAs吹扫InP表面对界面应变产生很大的影响.为此提出了一种新的界面气体转换顺序来控制InGaAs/InP超晶格的界面应变,它先把Ⅲ族源转入反应室,以此来降低TBAs对InP表面的影响,由此得到的超晶格的平均应变减小,光致发光的峰值能量出现蓝移. 相似文献