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1
1.
择优取向生长的Gd2O3高K栅介质薄膜
岳守晶
魏峰
王毅
杨志民
屠海令
杜军
《中国稀土学报》
2008,26(6)
使用射频磁控溅射法在n型Si(001)基片上生长了Gd2O3薄膜。X射线衍射扫描研究和高分辨透射电子显微镜观察表明,薄膜由立方相和单斜相混合构成,且表现出立方(111)晶面和单斜(401)晶面的择优取向生长。XPS分析表明薄膜的元素组成接近化学计量比。电性能测试发现,薄膜拥有合适的介电常数,较小的漏电流密度和较大的击穿场强,厚度为15 nm的薄膜介电常数为23,漏电流密度为3.6×10-5A.cm-2(偏压为 1 V时),击穿场强为3.5 MV.cm-1。
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