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菱面片层氧化镁的制备及晶格畸变与反常红外特性 总被引:1,自引:0,他引:1
以低品位白云石为原料采用二次酸浸、EDTA-氨水沉淀法制备前驱体Mg(OH)2,经煅烧得到菱面片层状多空隙结构的纳米MgO晶体。通过X射线衍射(XRD)、高分辨率扫描电镜(HRSEM)及傅立叶红外光谱(FT—IR)等测试手段对所得产物的物相和形貌等进行了表征。分析表明:氧化镁为结晶良好、立方晶系,厚度约10~20nm,最大面积可达1μm^2左右的菱形纳米片层结构;XRD数据表明纳米氧化镁的微结构存在晶格畸变并导致XRD相位差发生变化;红外光谱表明,Mg-O键伸缩特征吸收峰向高波数方向移动(蓝移)了约84.82cm^-1,而弯曲特征吸收峰向低波数方向移动(红移)了约31.88cm^-1,并导致红外吸收光谱的宽频化。结合XRD数据分析结果和界面效应等物理现象讨论了反常红外吸收机理。 相似文献
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La1-xSrxMn1-yFeyO3微波吸收特性研究 总被引:2,自引:2,他引:0
采用溶胶-凝胶法制备La1-xSrxMn1-yFeyO3(x=0.15,0.20,0.23;y=0.10,0.12,0.14,0.16),用HP8722型微波网络矢量分析仪测定样品在频率2-18GHz的电磁波吸收特性。发现Sr和Fe含量的改变都会影响体系的吸波性能,经测试得到x=0.2,y=0.14时的吸波特性最好。对于La1-xSr0.2Mn0.86Fe0.14O3,在涂层厚度为2mm时,有两个吸收峰,最大峰值达到了37dB,10dB以上的带宽达到了6.2GHz,在2-12.5GHz频率段微波吸收主要以介电损耗为主,在12.5GHz附近介电损耗和磁损耗发生突变,在12.5-18GHz频率段微波主要以磁损耗为主,电阻率在室温时处在半导体范围内,对吸波有利。 相似文献
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白云石制备菱面片层纳米氧化镁 总被引:3,自引:0,他引:3
以白云石为原料通过二次酸浸、EDTA-氨水络合法制得纳米MgO晶体, 并采用XRD、FT-IR、SEM、TEM等手段对其进行了表征. 研究表明, EDTA/PEG分子具有结构导向作用, 使Mg(OH)2分子呈外延辐射状均匀生长. 550-650 ℃煅烧前驱体制得的MgO纳米微片生长均匀, 为立方晶系结构的单晶, 具有类似花瓣状的菱面微片结构, 其厚度约为10-20 nm, 最大面积可达1 μm2左右. 氧化镁晶体沿[100]方向取向生长, 并保留了前驱体的外延辐射状生长特性. 结合热力学及动力学等相关理论研究了氧化镁纳米微片的取向生长机理. 相似文献
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以低品位白云石为原料采用二次酸浸、EDTA-氨水沉淀法制备前驱体Mg(OH)2,经煅烧得到菱面片层状多空隙结构的纳米MgO晶体.通过X射线衍射(XRD)、高分辨率扫描电镜(HRSEM) 及傅立叶红外光谱(FT-IR)等测试手段对所得产物的物相和形貌等进行了表征.分析表明:氧化镁为结晶良好、立方晶系,厚度约10~20 nm,最大面积可达1μm2左右的菱形纳米片层结构;XRD数据表明纳米氧化镁的微结构存在晶格畸变并导致XRD相位差发生变化;红外光谱表明,Mg-O键伸缩特征吸收峰向高波数方向移动(蓝移)了约84.82 cm-1,而弯曲特征吸收峰向低波数方向移动(红移)了约31.88 cm-1,并导致红外吸收光谱的宽频化.结合XRD数据分析结果和界面效应等物理现象讨论了反常红外吸收机理. 相似文献
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La0.6Ce0.4Mn1-yFeyO3微波吸收特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用溶胶-凝胶法制备了La0.6Ce0.4Mn1-yFeyO3 (y=0.00, 0.12, 0.14, 0.16, 0.18)样品. 用微波矢量网络分析仪测试了该样品在2~18 GHz微波频率范围的复介电常数、复磁导率, 根据测量数据计算了电磁损耗角正切及微波反射率与频率的关系. 结果表明, 当B位掺入铁元素时, 样品吸收峰值增大, 有效吸收频带增宽, 在y=0.14时, 样品微波吸收效果最好. 当样品厚度为2.00 mm, y=0.14时, 吸收峰值为38 dB, 10 dB以上频带宽度达4.1 GHz. 初步探讨了该材料的电磁损耗机理, 发现损耗吸收来自磁损耗和介电损耗的共同作用, 吸收峰所在频率介于介电损耗角正切最大值与磁损耗角正切最大值对应的频率之间, 即在12.7 GHz附近. 对样品的电阻率测试表明, 其室温范围内电导在半导体范围内, 有利于降低微波在样品表面的反射率. 相似文献
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