O′-β′复相Sialon陶瓷中相组成的控制

用Si₃N₄,SiO₂和Al₂O_?作原料,以Y₂O_?为添加剂,研究了O’-β’所在的四个相容性区中组成,于1400—1800℃之间,O’和β’的形成动力学。O’于1400℃开始生成,1600℃达到最大形成量。高于1600℃,O’减少乃至消失。研究发现,O’的这种不稳定性,并非自身热分解的结果。Al含量的增加,液相出现和β’的形成,才是导致O’-Sialon溶解而消失的原因。 此外,认为Si₃N₄-O’(x=0.3)-Y₂Si₂O₇-YAG相容性区,是在制备具有合理的O’-β’平衡相组成的复相陶瓷时,可供实际选用的组成区。     

ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

苦玄参化学成分的研究 ⅤⅢ.苦玄参苷Ⅱ的结构

从苦玄参(Picria fel-tarrae Lour)提取的有抗癌活性的B部分,在分离苦玄参苷IA和IB时,还分离到另一少量新苦味苷——苦玄参苷(Picfeltarraenin)Ⅱ(1).本文报道1的结构测定. 1经8％硫酸水解产生苦玄参苷元Ⅱ(2),所产生的糖经定性鉴定为D-葡萄糖和L-鼠李糖.根据1的FDMS所获得的准分子离子峰[M+Na+1]~+及元素分析,确定其分子式为C_(42)H_(66)O_(15),即1含一个葡萄糖和一个鼠李糖残基.1的~(13)C NMR谱中出现两个异头碳(anomeric carbon)信号,也符合上述推定.     

工业原料铁制备浆态床FT合成用的Fe-Cu-K-Si催化剂的探索

费托合成技术是公认的将煤基合成气转化为液体燃料和化工原料的重要技术途径。虽然固定床费托合成技术从五十年代起已经工业运转，但是浆态床费托合成技术由于其传热性能好，可直接使用第二代气化炉生产的富CO合成气，反应器结构简单，单台反应器生产能力大，开工率高，产品结构合理，     

催化动力学光度法测定微量钯

在硫酸 ( 1 + 1 )介质中 ,Pd(Ⅱ )催化过氧化氢氧化酸性铬蓝K的褪色反应。研究了反应的最佳条件 ,建立了催化光度法测定痕量钯的新方法。方法的最低检测限为 5 97× 1 0 - 4 μg/mL。线性范围为 5 97× 1 0 - 4 ～ 2 60× 1 0 - 2 μg/mL。该法用于合成样品和含钯催化剂的分析     

钆铁磁－顺磁相变的正电子寿命研究

通过测量金属钆在居里点附近的正电子湮没寿命谱随温度变化的关系，发现钆的正电子湮没寿命在居里点近邻Ｔ＜ＴＣ一侧随温度有显著变化，而在此温区以外几乎不随温度变化     

亚氨基二乙酸—硅胶键合相的合成及其在核苷酸分析中的应用

以大孔微球硅胶（３０ｎｍ，８μｍ）为基体，经γ－氨丙基三乙氧基硅烷活化与间隔臂氯代环氧丙烷反应后，再与螯合剂亚氨基二乙酸键合，后者与铜离子（Ⅱ）螯合后，构成定位金属离子亲和色谱固定相。用磷酸盐缓冲溶液（ｐＨ＝７．０）作流动相，经紫外吸收检测（２６０ｎｍ）对核苷酸混合物进行了高效液相色谱分析，取得较满意的结果。     

RNA和DNA中碱基的染料配位亲和色谱分析

ＲＮＡ和ＤＮＡ中碱基的染料配位亲和色谱分析于世林，王金春，王朝晖，兰蔚（北京化工学院应化系，１０００２９）（北京理化测试中心，１０００８１）１引言近二十年来染料配位亲和色谱获得很大的发展，由三螓染料ＣｉｂａｃｒｏｎＢｌｕｅＦ３Ｇ－Ａ和ＰｒｏｃｉｏｎＢ...