有机/无机复合结构光电导型器件的光激发机制

制备了PVK/ZnS有机无机复合的光电导型器件 ,器件结构分别为Glass/ITO/PVK/Al;Glass/ITO/ZnS/Al;Glass/ITO/ZnS/PVK/Al。通过研究此复合器件在外加电场作用下的稳态光电导激发谱 ,得到了基本光激发过程。把PVK/ZnS的吸收谱和器件的光电导谱进行比较 ,知道虽然两者的吸收对器件光电流都有贡献 ,但有效部分在PVK和ZnS的界面处。最大光电流对外加电场的依赖性与器件的暗电流和光电流谱为此提供了证据     

(Eu2+,Nd3+): CaAl2O4的长余辉发光及机理的研究

采用高温固相反应法制备了Eu²⁺: CaAl₂O₄、(Eu²⁺,Nd³⁺): CaAl₂O₄, 等系列材料.测量了其激发、发射光谱及余辉衰减曲线.分析了掺杂稀土离子对长余辉发光的作用.并对其发光机理进行了深入地探讨.     

(Eu2+,Nd3+)∶CaAl2O4的长余辉发光及机理的研究

采用高温固相反应法制备了Eu^2 ∶CaAl2O4、（Eu^2 ,Nd^3 )∶CaAl2O4，等系列材料。测量了其激发、发射光谱及余辉衰减曲线。分析了掺杂稀土离子对长余辉发光的作用。并对其发光机理进行了深入地探讨。     

用吸收差谱研究电子俘获材料的光激励发光

以SrS:Eu, Sm为例说明可以利用电子俘获材料在光激发前后的吸收谱的差别来获取电子俘获材料光激励发光的信息。电子俘获材料在激发后的吸收光谱同时包含了不同陷阱(杂质)对光激励的吸收情况。因此激发前后的吸收光谱差(吸收差谱)除了能给出与光激励谱相同的信息外,还包含空穴陷阱的激励,光存储总量等信息,因此有助于更全面地了解材料的光激励发光过程。     

聚合物/TiO2分层光电导型器件的电荷传输特性

研究了聚合物PVK与TiO₂分层光电导器件的电荷传输特性,分别比较了两种器件:器件S₁(ITO/TiO₂/PVK/Al)和器件S₂(ITO/PVK/TiO₂/Al)。实验发现,器件S₁的暗电流远小于器件S₂的暗电流,S₁的正向峰值光电流约是其反向峰值光电流的4倍,而S₂的正向和反向峰值光电流都基本与S₁的反向峰值光电流相近。这是由于PVK/TiO₂界面处有效的电荷转移、恰当的电荷传输层、器件各层间能级匹配及其与电极功函数的匹配影响了光电流的强度大小。由此判断,器件S₁的性能要优于器件S₂。随电压的增大,S₁结构的光电导响应谱在短波区域的拖尾增大,而S₂结构几乎没有拖尾,这可能是两种结构的吸收和陷阱能级的差别造成的。     

铈掺杂对BaFBr:Eu2+光激励发光性能的影响

采用一步反应法制备了BaFBr:Eu2+,Ce3+X射线影像存储材料.通过荧光光谱和光激励发光谱研究了材料的光致发光及其经X射线辐照后的光激励发光性质.结果发现,Ce离子的掺入使得BaFBr:Eu2+的发光性能明显增强,存在Ce3+离子向Eu2+离子的能量传递,Ce离子的掺杂浓度为0.7%(摩尔分数)左右时可得到较高的光致发光及光激励发光强度.且掺入Ce3+后,可以有效的形成能稳定存储的较低能级的电子陷阱,使得在信息读出过程中所需激励光能量降低,从而使得读出光的能量与价廉、便携的长波激光器的读出波长匹配得更好.     

简洁轻薄手机镜头的光学设计

设计了一款简洁轻薄的手机镜头,使用4片非球面塑料材料和1片红外玻璃滤波片,塑料非球面材料分别是E48R,POLYCRA,折射率和阿贝数分别是1．53、58;1．59、29．9。用ZEMAX软件对镜头进行了优化设计,对优化后的结构进行了分析,设计全视场角和相对孔径分别为67°和1／2．8,系统总长为4mm,焦距3．5mm,后截距为0．5mm,使用1／4inchCMOS作为成像接收器件,全视场MTF值在295lp／mm处接近0．2,畸变小于2％,可应用于超薄手机设计中。     

锰掺杂对CaS∶Eu光激励发光性能的影响

采用硫化助熔剂法制备了CaS∶Eu, Mn荧光粉.通过测量样品的荧光光谱和紫外光辐照下的光激励发光谱, 发现Mn离子的掺入使CaS:Eu的发光性能明显增强, 存在于基质材料中的陷阱分布因掺入Mn杂质而改变, 形成了新的俘获中心, 引起能量转移. 增大了电子俘获过程中电子和空穴复合的几率, 有利于提高材料的存储性能. 比较了不同浓度下发射光谱的差异, 探讨了掺杂浓度对发光特性的影响. 通过比较光激励发光衰减曲线, 进一步表明了Mn掺杂对CaS∶Eu光激励发光性能的改善.     

锰掺杂对CaS：Eu光激励发光性能的影响

采用硫化助熔剂法制备了CaS：Eu，Mn荧光粉。通过测量样品的荧光光谱和紫外光辐照下的光激励发光谱，发现Mn离子的掺人使CaS：Eu的发光性能明显增强，存在于基质材料中的陷阱分布因掺人Mn杂质而改变，形成了新的俘获中心，引起能量转移。增大了电子俘获过程中电子和空穴复合的几率，有利于提高材料的存储性能。比较了不同浓度下发射光谱的差异，探讨了掺杂浓度对发光特性的影响。通过比较光激励发光衰减曲线，进一步表明了Mn掺杂对CaS：Eu光激励发光性能的改善。     

BaBrCl：Eu^2＋：一类新型X射线影像存储材料

在Eu^2＋掺杂的BaBrCl中，发现经X射线辐照后的光激励发光。BaClCl：Eu^2＋的发光峰位于413nm，两个差吸收带分别位于-550nm和675nm。激励光能量较BaFX：Eu^2＋（X=Cl，Br）低，与通常用作读出光源的HeNe激光器更为匹配。实验结果表明BaClCl：Eu^2＋有望成为一类新型的X射线影像存储材料。