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1.
文[1]对2004年高考江苏卷第20题的探索是很有意义的,令人耳目一新,笔者通过挖掘隐含在问题内部的研究性材料进行推广,既能让学生真正掌握所涉及的内容,又利于其探究能力的培养.在此本着“数列中对一切正整数恒成立问题的解法及文[1]推广4的解答错误”的想法,给出该类问题的另一 相似文献
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3.
光电效应是物理光学中揭示光的本性的重要内容.根据中专物理教学的特点和我校光导纤维通信专业对物理知识的需求,既不可能在理论上讲得过多、过深、过于严密,也不能仅在黑板上画实验,照课本念规律.必须明确:学生在物理课程中学到的物理科学知识,受到的观察、实验、思维、科学态度和科学方法的训练以及受到的思想教育,将是他们继续学习科学技术和投身祖国社会主义现代化建设的重要基础.下面谈谈我在"光电效应"一书教学中的一些体会和做法.五以实验为基础,获取感性认识首先安排导向性演示实验步骤:门)在无紫外线灯照射下闭合电键… 相似文献
4.
Exact Solution of an Extended Hubbard Model with Electron—Lattice Interaction for an Organic Ferromagnetic Polymer 下载免费PDF全文
Using an exact diagonalization method,we study an extended Hubbard model with an electron-lattice interaction for an organic ferromagnetic chain with radical coupling.The result shows that the ferromagnetic ground state originates from the antiferromagnetic correlation between adjoining sites,which is enhanced by the on-site e-e repulsion.The intersite e-e repulsion induces the inhomogeneous distribution of the charge density.The dimerization is decreased by the e-e interaction and the radical coupling.The electron-lattice interaction and the radical coupling can transfer the spin density and charge density between the main chain and the radicals. 相似文献
5.
本文研究了两类重要微分不等式有界解的性质。引入了赋范线性空间(f,‖‖M),利用比较定理和黎卡提方程解的性质,给出了有界解的上界估计式,推广和改进了文[1,2]中的有关结果. 相似文献
6.
对二维平面系统的二维系统的中心焦点区分问题 ,I l'yashenko曾建议一个算法 ,本文给出此法的详细证明 .据此 ,我们讨论了区分问题在 Arnold意义下的代数可解性与不可解性 相似文献
7.
Solc型双折射滤波器离轴消光比的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
提出了一种Solc型双折射滤波器的离轴消光比的一般性计算方法,利用所得结果模拟出了Solc型双折射滤波器的锥光干涉图以及发散光积分消光比与波长和发散角的关系曲线,实验结果证实了理论推算的合理性,此外本方法也适用于计算各种类型双折射滤波器的离轴消光比。 相似文献
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9.
针对重力输水管道设计中存在的问题,文章以管道造价最小为目标,应用动态规划,提出了一种新的重力输水管道优化设计方法,对输水管的当量管径、流量分配、连接管设置与可靠性校核计算等问题作了探讨。该方法可用于沿线有节点流量流出的并联输水管道优化设计,能明显节省投资,有良好的实用性 相似文献
10.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献