侧向二氟取代酯类液晶的合成

有源矩阵液晶显示(AM-LCD)发明于上世纪70年代末,但真正应用是在上世纪80年代中期。目前,主要是薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD),利用这种技术实现了视频图象显示,主要应用于摄像机、便携式计算机和各种终端显示器。近几年来,垂直排列有源矩阵液晶显示技术(VA)得到了飞速的发展,已成为LCD发展的主要方向之一。     

反式环己烷羧酸衍生物的合成

低档液晶显示中所用的液晶材料,如联苯氰类、酯类等,具有高的粘度,低的清亮点及低的光化学、化学稳定性等缺点．随着液晶显示技术的发展,对高档液晶材料的要求越来越迫切．为了降低液晶材料的粘度指数,改造液晶分子的方法之一是用环己烷环代替分子中的苯环［１］．因...     

一种耐高温聚噻吩膜的电化学合成

聚噻吩及其衍生物具有高的电导率、良好的环境稳定性以及易于调控的分子链结构,因此一直受到人们的广泛关注．但是,这类材料的耐温性能较差,从而将影响其在有机电子器件中的应用．     

STN型液晶显示用聚酰亚胺表面取向材料的性能

倾斜角;STN型液晶显示用聚酰亚胺表面取向材料的性能     

Cu对Al-50%Si合金法提纯太阳能级多晶硅过程中初晶硅Al含量影响研究

Al-Si合金法提纯具有生产成本低、除杂效率高、副产物单一等特点,是一种极具潜力的太阳能级多晶硅原料的制备方法。在该工艺路线中,Al作为溶剂不可避免地会对Si产生污染,如何降低初晶硅中Al的含量是亟需解决的问题之一。本文通过向Al-50%Si合金中加入Cu,分析Cu对合金溶液热力学性能的影响,结合Cu的存在方式,探讨Cu对Al污染的抑制作用。结果表明：在Al-50%Si合金中添加10%(质量分数)Cu后,合金中Al的活度系数降低至0.714 8;初晶硅中Al的含量从250.960 mg/kg降低到181.637 mg/kg,比未添加Cu时减少了27.62%,同时,Cu在初晶硅中的残留仅为12.6 mg/kg,低于Cu在Si中的固溶度。可见,在Al-Si合金中引入Cu并未对初晶硅造成二次污染。因此,采用Al-Si-Cu三元合金体系进行提纯制备太阳能级多晶硅能够有效抑制Al对初晶硅的污染。     

乙烷类三环体系液晶的合成及其相变规律的研究

以反式-4-烷基环己烷甲酸为原料,合成了两个系列共14种乙烷类三环体系液晶。利用NMR、IR、DSC等确定了化合物的结构及相变温度,讨论了化合物的结构对相变温度的影响。