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染料木素分子印迹聚合物的制备及其识别性能 总被引:1,自引:0,他引:1
以染料木素为模板分子、4-乙烯基吡啶(4-VP)为功能单体、乙二醇二甲基双丙烯酸酯(EGDMA)为交联剂、四氢呋喃(THF)为溶剂,采用本体聚合法制备了染料木素的分子印迹聚合物;采用静态平衡结合实验研究了该分子印迹聚合物对染料木素的结合能力和选择性能.结果表明,与化学组成相同的相应非印迹聚合物相比,染料木素分子印迹聚合物对染料木素的吸附性能和选择性更好.利用所合成的分子印迹聚合物作为固相萃取材料填充固相萃取小柱,可以选择性地从豆奶粉中分离、富集染料木素;此外,该分子印迹聚合物还有望用于其他豆制品的分析检验. 相似文献
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分子印迹技术是制备对特定目标分子具有特异性识别能力的高分子材料的技术,所制备的高分子材料被称为分子印迹聚合物.分子印迹聚合物因具有预定性、识别性和实用性三大优点已广泛应用于分离、模拟抗体与受体、催化剂以及仿生传感器等方面和领域,显示出了广泛的应用前景.作者对分子印迹技术的发展历史、基本原理、分类、应用现状以及一些新的研究热点进行了综述. 相似文献
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软骨藻酸分子印迹聚合物的制备及其固相萃取应用 总被引:2,自引:2,他引:0
以贝毒-软骨藻酸的结构类似物1,3,5-戊烷三羧酸为模板分子,4-乙烯基吡啶为功能单体,乙二醇二甲基双丙烯酸酯为交联剂,合成了对软骨藻酸具有较好选择性的分子印迹聚合物。经索氏提取去除模板分子后,在聚合物内部形成了与模板分子1,3,5-戊烷三羧酸以及结构类似物软骨藻酸尺寸、形状以及活性基团互补的结合位点。通过静态平衡结合实验研究了该聚合物的结合能力和选择性能,与化学组成相同的相应非印迹聚合物相比,1,3,5-戊烷三羧酸的分子印迹聚合物对软骨藻酸具有较高的吸附性能和选择性。用150mg印迹聚合物填充于1.0mL玻璃注射器制成的分子印迹固相萃取柱,采用离线模式,并结合高效液相色谱实现紫贻贝和海水中软骨藻酸的分离与检测。对于加标2mg/L的紫贻贝和海水样品,回收率分别达到(93.4±4.9)%和(89.7±3.2)%(n=3)。 相似文献
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以金属氯化物为金属源,硫脲为硫源,聚乙二醇和乙二醇为混合溶剂,采用溶剂热法一步合成了球形的铜锌锡硫纳米颗粒.利用X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)分析了铜锌锡硫纳米颗粒的物相、结构、形貌;利用电池测试系统对以铜锌锡硫纳米颗粒为锂离子电池负极材料组装的锂离子电池的电化学性能进行了测试.结果表明:所得到的产物为具有锌黄锡矿结构的纯相铜锌锡硫,颗粒直径在300~500nm.铜锌锡硫纳米颗粒作为锂离子电池的负极材料具有较好的稳定性,有望在锂离子电池研究和应用中得到推广. 相似文献
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Precisely tuning Ge substitution for efficient solution-processed Cu_2ZnSn(S,Se)_4 solar cells
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The kesterite Cu_2ZnSn(S,Se)_4(CZTSSe) solar cells have yielded a prospective conversion efficiency among all thinfilm photovoltaic technology. However, its further development is still hindered by the lower open-circuit voltage(Voc), and the non-ideal bandgap of the absorber is an important factor affecting this issue. The substitution of Sn with Ge provides a unique ability to engineer the bandgap of the absorber film. Herein, a simple precursor solution approach was successfully developed to fabricate Cu_2Zn(SnyGe_(1-y))(SxSe_(1-x))_4(CZTGSSe) solar cells. By precisely adjusting the Ge content in a small range, the V_(oc) and J_(sc) are enhanced simultaneously. Benefitting from the optimized bandgap and the maintained spike structure and light absorption, the 10% Ge/(Ge+Sn) content device with a bandgap of approximately 1.1 eV yields the highest efficiency of 9.36%. This further indicates that a precisely controlled Ge content could further improve the cell performance for efficient CZTGSSe solar cells. 相似文献
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