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对Si-SiO2系统广泛而深入的研究和器件的平面技术的发展,导致了Si金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSPET)及其集成电路(IC)的辉煌成就.GaAs的电子迁移率比Si高五倍多,预期GaAs金属-绝缘薄膜-半导体场效应晶体管(MISFET)可工作于更高频率,其IC可应用于更高速度.以往十多年,对GaAs-绝缘薄膜界面和MIS结的特性进行了研究(见文献[1]),取得了一定成果,但因研究对象相当复杂,还未能在FET及其IC方面取得突破.与此同时,对GaAs的金属-半导体(M-S)界面和结的特性也进行了研究,目前已在一系列GaAs微波器件包括金属-半导体接触场效应… 相似文献
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在金属-高掺杂nGaAs之间加入薄氧化层(约102?)后,器件的I-V特性不再能用经典的金属-半导体接触理论来描述,而必须计入如下修正:电子由量子力学中的隧道效应穿过界面层势垒,由此引进透射系数P;反向偏置时,有效势垒高度因界面层及界面态的存在而有所改变,并且随外加电压而变化;正向偏置时,界面层的影响可以用理想因子n来描述。经过上述修正后推得的理论I-V,I-1/T关系式(表1)与实测曲线符合较好。文中讨论了透射系数与有效势垒高度提高的关系。
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