CdS:Cu一维纳米结构及其光子学特性研究

利用化学气相沉积方法成功合成了CdS掺Cu的一维纳米结构,揭示了该掺杂纳米结构特殊的生长机制,发现了该结构新颖的光子学性质.实验表明,通过控制实验条件可以实现CdS中Cu离子掺杂,并可获得高质量的一维纳米结构.由于掺杂离子的影响,纳米结构在不同强度的光激发时表现出不同线形的发光光谱,掺杂浓度对发光峰的位置和相对强度有比较明显的影响,但对光谱线形影响不大.所得结果将有助于拓展CdS纳米结构在纳米光子学领域中的应用.     

金属/有机半导体界面偶极层的研究

利用金属/无机半导体界面模型对金属/有机半导体界面偶极层进行了数值研究.讨论了界面处金属/有机半导体原子间距与化学键密度对界面偶极能的影响;分析了界面层电场强度随化学键密度变化的原因;对界面偶极能与金属功函数之间的关系给出了合理的解释.     

化学气相沉积法制备Sn2S3一维纳米结构阵列

运用化学气相沉积法(CVD), 直接以Sn和S为原料分区加热蒸发, 通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件, 成功制备大面积Sn₂S₃一维纳米结构阵列. 扫描电子显微镜(SEM)图片显示: Sn₂S₃一维纳米结构的横向尺度在100 nm左右, 长约几个微米. X射线衍射（XRD）谱显示: 所制备样品的晶体结构属于正交晶系, 沿[002]方向生长. 紫外-可见漫反射谱表明Sn₂S₃一维纳米结构是带隙为2.0 eV的直接带隙半导体. 讨论了温度分布和金属铅纳米颗粒对Sn₂S₃一维纳米结构生长的影响, 并指出其生长可能遵循气-固(V-S)生长机理.