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在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱·解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的“蓝移现象”及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流—电压特性曲线及电导—电压特性曲线的特征和出现的“负阻效应”· 相似文献
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在15 mL的不锈钢反应釜中,利用无水三氯化铝与叠氮化钠在无溶剂的条件下直接反应,合成出了六方结构氮化铝泡沫材料,反应温度650 ℃,反应时间3 h.扫描电子显微镜测试结果显示,该试样呈现泡沫状外貌特征.X射线衍射结果表明该试样为六方结构.不同温度条件下的吸收谱表明在202 nm附近存在尖锐的吸收峰.红外吸收谱中存在1381 cm-1和730 cm-1两个吸收峰.同时,提出了六方结构氮化铝泡沫材料的合成机理.
关键词:
六方氮化铝泡沫材料
合成机理
X射线衍射 相似文献
3.
Synthesis of hexagonal monocrystal AlN microtubes and nanowires at low temperature 总被引:1,自引:0,他引:1
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This paper reports that pure hexagonal aluminium nitride microtubes
and nanowires growing along the [0001] direction have been
successfully synthesized by directly reacting AlClh-AlN, microtubes, nanowires, h-AlN, microtubes, nanowires Project supported by the
National Natural Science Foundation of China (Grant No 10474078)
and the Science Foundation of the Education Office of Shanxi
Province, China. 2006-11-23 This paper reports that pure hexagonal aluminium nitride microtubes and nanowires growing along the [0001] direction have been successfully synthesized by directly reacting AlCl3 with NaN3 at low temperature (450℃) under condition of non-solvent system. The grey-white powder of reacting product was characterized by high-resolution transmission electron microscope (HRTEM), which shows that the powder is long straight-wire morphology with outer diameter from 40nm to 300 nm and length up to several micrometres. The results of both electron diffraction (ED) and x-ray diffraction (XRD) indicate that the AlN microtubes have a pure hexagonal monocrystal tubular structure with the combination of the curled AlN nanobelts. Room-temperature photoluminescence spectrum of the synthesized sample showed an emission peak, which is closely related to the small size of the microtubes. 相似文献
4.
纳米六方相氮化铝的合成和光学性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了以AlCl3和Mg3N2为反应物, 在500 ℃条件下, 用简易的设备, 合成六方相AlN纳米材料. 样品的XRD和XPS图谱表明, 实验得到的AlN样品是纯的六方相AlN, 其中的杂质相含量均小于仪器的探测灵敏度. TEM图表明, AlN样品呈多孔网络状结构, 网络的骨架大小在10~20 nm之间. 对AlN样品的光学性能的研究表明, AlN样品的禁带宽度值约为6.12 eV; 红外吸收谱以680 cm-1为中心形成一个很宽的红外吸收带; 其拉曼散射峰较AlN薄膜和AlN单晶向低波数方向移动. 相似文献
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为了简化了AlN/C复合泡沫材料的制备流程, 本文采用复分解反应法制备AlN纳米材料, 并通过800℃退火处理使其在碳泡沫衬底上重结晶为六方相AlN纳米线. 通过形貌表征测试, 纳米线为表面光滑的长直形圆柱体, 直径约50 nm, 长度10 μm以上, 在碳微球表面沿[001]方向生长. 同时, 采用VLS生长机理对纳米线的生长进行了解释. 对样品光致发光谱的研究表明, 中心波长423 nm处存在一尖锐发光峰且随温度升高发生明显的红移现象, 系C替N杂质能级跃迁发光所致. 样品在紫光波段具有良好的光致发光特性, 有望应用于光探测器领域. 相似文献
8.
为了得到一种轻质、高强度、耐烧灼的新型碳泡沫材料,以无定形AlN为添加剂,在空心微球/网络复合型碳泡沫的基础上,采用退火热处理工艺成功地制备出了AlN/C复合泡沫材料.通过扫描电镜、透射电镜对样品进行表征,测试结果表明无定形AlN在碳微球的表面重结晶为AlN晶须,其直径大约为50nm左右,长度10μm以上,具有较大的长径比.X-射线衍射峰证明样品石墨化程度高,且AlN晶须为六方结构.X-射线光电子能谱测试发现在287.5eV处有较明显的C-N峰出现,这表明AlN和碳泡沫在界面处通过C-N键结合.同时,对其力学性能进行测试,通过分析应力-应变测试结果,AlN/C复合泡沫材料的压缩强度为40.27MPa,相对碳泡沫材料而言提高了近一个数量级.测试结果表明,AlN晶须显著增强了碳泡沫的压缩强度,这种新型复合泡沫材料有望应用于各种抗压减震航空材料. 相似文献
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在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱.解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的“蓝移现象”及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流—电压特性曲线及电导—电压特性曲线的特征和出现的“负阻效应”. 相似文献
10.
在25mL的不锈钢反应釜中,利用无水三氯化铝与叠氮化钠在无溶剂的条件下直接反应,成功地合成出了单晶氮化铝纳米线,反应温度为450℃,有效反应时间为24h.高分辨率透射电子显微镜测试结果显示,纳米线多为长直线状外貌特征,直径在40—60nm范围内,最大长度可达几个微米.高分辨率电子衍射和X射线衍射结果都表明,多数纳米线为六方结构,也有少量呈现面心立方结构.同时,提出了长直线状六方和面心立方单晶氮化铝纳米线的生长机理的假设,并对六方单晶氮化铝纳米线生长方向的人工控制也进行了讨论.
关键词:
六方单晶氮化铝
纳米线
X射线衍射
透射电子显微镜 相似文献