Nd：GdVO4单晶的生长、位错和形貌

用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd：GdVO4)单晶，并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑，测定了(100)面晶体位错密度为600个／mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌，可采用简单光学方法确定晶体方向。     

上转换激光晶体研究进展

本文综述近年来晶体材料的上转换过程研究进展，介绍了上转换发光晶体材料研究中的一些新动向以及在室温环境下，掺杂稀土离子的晶体上转换激光运转的成功经验，列举了几种室温上转换激光器的泵浦条件、发射波长、以及转换效率等参数，说明晶体材料的上转换激光技术已趋于实用化。     

LD激发的ZnWO4:Er3+晶体上转换发光

采用Czochralski法生长出ZnWO₄:Er³⁺(Er=0.02mol)单晶,测量了吸收光谱和激发光谱。在波长966nm功率500mW的激光二极管(LD)激发下观察到上转换发光。强度最大的发射峰位于547和558nm,发射光谱分析表明,上转换激发过程与双光子步进吸收有关。     

ZnWO4单晶衬底上ZnO薄膜的晶核发育与形貌分析

ZnWO4单晶的a晶面与氧化锌c晶面晶格匹配很好,是制备氧化锌薄膜的优良衬底.本文采用溶胶-凝胶法在ZnWO4单晶衬底上制备出透明的ZnO薄膜.通过光学显微镜对薄膜晶核发育过程和形貌进行了详细的分析.实验结果表明:在结晶刚开始,系统将经历成核--长大的过程,随着生长过程的进行,在主晶轴上(一次轴)上又长出二次轴、三次轴等等,最后逐渐形成树枝状晶核.由于ZnO晶核是在非平衡条件下生长的,故在晶核发育过程中又出现了三种不同的生长形态--成核生长、枝晶生长和分形生长.     

Nd∶GdVO4单晶的生长、位错和形貌

用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd∶GdVO4)单晶, 并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑, 测定了(100)面晶体位错密度为600 个/mm2.观察了不同提拉方向的晶体生长形貌, 可采用简单光学方法确定晶体方向.     

溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜的成核-生长和失稳分解研究

采用溶胶-凝胶法在ZnWO₄单晶上制备出透明的ZnO薄膜.通过光学显微镜观察了Z nO薄膜的表面形貌.实验结果表明，ZnO薄膜的形成经历了表面成核，晶粒长大和岛的形成三 个不同的阶段.由于ZnO晶核是在非平衡条件下生长的，在生长过程中不可避免地出现了枝晶 生长和分形生长以及失稳分解. 关键词： 氧化锌薄膜 成核 枝晶生长 分形生长 失稳分解     

ZnWO4∶Sm3+晶体光谱与上转换发光

采用Czochralski法生长出了ZnWO₄∶Sm³⁺单晶(Sm₂O₃=0.1wt%)，测量了晶体的吸收光谱.利用激光Raman谱仪在He-Ne激光器632.8nm波长激光激发下，观测到448，471，505，533nm的上转换锐线荧光，对其发光机理进行了探讨. 关键词：     

闪烁发光与闪烁晶体研究动态

闪烁体用于X射线和γ射线等高能粒子探测,在核医学、高能物理、地质探矿、安全检查和材料探伤等领域有着广泛的应用.本文综述了闪烁体的特征,射线与物质的相互作用,卤化物闪烁体,氧化物闪烁体以及高温稀土闪烁体的研究进展.     

钨酸钕单晶光谱及其上转移发光

采用提拉法生长出钨酸钕Nd2(WO4)3单晶,通过光谱测试研究了Nd^3 的能级结构,采用波长为808nm激光二极管作为激发光源,室温下观测到457和657nm两个波段的上转换荧光,分别相应于^2D5/2→^4I11/2和 ^2G7/2→^4I9/2跃迁,457和657nm处的上转移荧光强度与激发光功率分别成线性关系和平方关系。     

ZnWO_4∶Sm~(3 )晶体光谱与上转换发光

采用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长出了ＺｎＷＯ４∶Ｓｍ３＋单晶（Ｓｍ２Ｏ３＝０１ｗｔ％），测量了晶体的吸收光谱．利用激光Ｒａｍａｎ谱仪在ＨｅＮｅ激光器６３２８ｎｍ波长激光激发下，观测到４４８，４７１，５０５，５３３ｎｍ的上转换锐线荧光，对其发光机理进行了探讨．