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1.
2.
温度对PSⅡCP4 7/D1/D2/Cytb559复合物荧光光谱特性的影响 总被引:3,自引:3,他引:0
采用激励光源为514.5 nm的分幅扫描单光子计数荧光光谱装置对经20℃、42℃和48℃不同温度处理后的反应中心复合物CP47/D1/D2/Cyt b559的荧光光谱特性进行了研究.经解析,获得不同温度处理后,CP47/D1/D2/Cyt b559复合物最大峰值未发生变化,均在682 nm,说明Chla670的能量都由Chla682接收,但损耗愈来愈小,在48℃时,损耗程度最小,而其荧光百分比未发生多大变化.振动副带~700 nm和~740 nm的中心波长都发生蓝移,在不同温度下分别为:20℃ 703 nm,749 nm;42℃ 697 nm,744 nm;48℃ 694 nm,740 nm.因此可以推测温度的升高,影响了CP47/D1/D2/Cyt b559色素蛋白的二级结构以及色素分子的空间位置,使最大峰值处的荧光强度逐渐降低,振动副带逐渐蓝移.42℃的温度已造成影响,48℃影响较大. 相似文献
3.
在一般Λ型三能级模型的基础上提出准Λ型四能级系统,并对准Λ型四能级模型的共振荧光谱作了详尽的研究.从上能级向两边下能级辐射的自发辐射谱中产生了三个超窄谱线,且在很大参数范围内光谱具有这一特性.三个超窄谱线的产生是和两个相干驱动场的Rabi频率密切相关,在较大的Rabi频率作用下谱线会变得更窄,而当只有一个驱动场作用时是不会产生谱线变窄效应的.能级间的碰撞弛豫和非相干激发严重地破坏了谱线变窄.这种超窄谱线效应是多通道量子干涉的结果
关键词:
准Λ型四能级系统
超窄谱线
多通道量子干涉 相似文献
4.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献
5.
6.
近年来将因子分析这一多变量统计分析技术成功地用于具有加和性的谱分析中。因子分析法可正确定出混合物中含有的物种(因子)数和各物种的含量(浓度),同时可将各组分的纯光谱由混合物的光谱中分离开。聚乙烯(PE)和乙丙橡胶(EPR)的二、三元嵌段共聚物(PE-EPR、PE-EPR-PE)构成的共混物结构、形态与结晶过程研究已有 相似文献
7.
根据Flory热力学统计理论和比容-熔融热作国法,由DSC结果得到了不同联苯含量的聚醚醚酮酮-含联苯聚醚醚酮酮(PEEKK-PEBEKK)共聚物的熔融热,两种方法获得的结果吻合。在此基础上给出了PEEKK-PEBEKK共聚物不同联苯含量的熔点计算表达式。结果还表明,随着联苯含量nB,的变化,明显改变;当nB=0.35时,PEEKKPEBEKK共聚物的值最小。 相似文献
8.
9.
10.