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用Dunning基进行从头计算的结果表明:在B_3H_7(1103)中氢桥三中心键与BBB三中心键间已用σ-共轭效应”融合”为一个四中心键,其特征为f_(B(1)-B(2))=0.1653,f_(B(2)-B(3))=0.1429,f_(B-H_b-B)=0.3416,f_(4center)=0.7193hartree/bohr.但在B_3H_9中三个氢桥三中心键间不相互作用,保持相互独立,其特性为f_(B-B)=0.0558,f_(B-H_b-B)=0.3922,f_(H_b3cen)=0.5115hartree/bohr. 相似文献
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CeO2/SnO2纳米材料的制备与气敏性能研究 总被引:1,自引:1,他引:1
本文应用溶胶-凝胶法制备了7种不同成分和煅烧温度的CeO2/SnO2材料,应用X射线衍射方法对其中的3种进行了结构表征和粒度分析,运用自组装的气敏性能设备检测了该7种不同成分的CeO2/SnO2材料的气敏性能,简要分析了其气敏机理。结果表明:掺杂CeO2有利于SnO2晶粒的细化;掺杂CeO2和La2O3可改变或提高SnO2气敏材料对某些气体的气敏性能;煅烧温度在600℃~800℃之间,掺杂2?O2的CeO2/SnO2气敏材料,随煅烧温度上升,气敏性能下降;煅烧温度600℃、掺杂5?O2的CeO2/SnO2气敏材料,对乙醇具有较高的灵敏度和选择性,具有开发应用价值;CeO2/SnO2气敏材料的气敏机理为表面电导控制型。 相似文献
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不同制备方法对铬掺杂NiFe2O4分解CO2的活性影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用共沉淀法和柠檬酸络合法分别制备掺杂4%Cr3 的N iFe2O4,运用XRD、DTA-TG、BET等手段对其结构进行表征,并探讨其直接催化分解CO2成C反应活性影响。研究结果表明,采用共沉淀法和柠檬酸络合法均能制备具有单一尖晶石结构的纳米晶的铬掺杂N iFe2O4。共沉淀法制备的铬掺杂N iFe2O4晶粒很小,平均晶粒只有8.3nm,比表面积为160.2 m2g-1,H2还原后其分解CO2成C的转化率为96%;而柠檬酸络合法制备的铬掺杂N iFe2O4晶粒比前者大,平均晶粒37.5nm左右,比表面积为51.6 m2g-1,其CO2分解成C的转化率只有82%。 相似文献
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三组份烧结型气敏元件的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
烧结型半导体气敏元件的主要材料是 SnO2、ZnO和γ-Fe2O3,虽然三种金属氧化物都是属于n型半导体,但由于各自的晶体和电性能的差异,所以过去人们多以单一组份为母体,掺入少量的添加物和催化剂来制作气敏元件。这三种金属氧化物制作的单组份元件都有不足之处,如SnO2受湿度影响较大;ZnO的工作温度高、功耗大;而γ-Fe2O3虽有不需添加催化剂敏感度很高的优点,但要求高温真空工艺等。本文以这三种氧化物为基本材料,按一定比例混合,采用烧结直热式进行研究,以便获得较佳的组份配比,制成一种不用催化剂,功耗又低、敏感性良好的多组份气敏元件。 相似文献
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在材料的合成与制备、组成与结构、性能及使用效能四者之间存在着强烈的相互依赖关系[1 ] 。一种材料的性质与其组成及结构息息相关 ,而组成与结构又是合成和制备的结果。合成与制备是提高材料质量的关键 ,也是开发新材料、新器件的中心环节。鉴于此 ,本文在前面工作[2~ 4] 的基础上 ,应用正交试验方法[5] ,探讨pH值、温度、搅拌速度三共沉淀反应条件对Sn Zn Fe复合氧化物气敏性能的影响。1 实验部分1 1 敏感材料的制备按表 1设计的正交试验方案 ,取物质的量相同的Sn、Zn、Fe氯化物混合液 ,在不同温度、搅拌速度条件下 ,… 相似文献
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