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用同时硒硫化共溅射Cu-In预制层的方法制备了CuIn(S,Se)2薄膜.为了了解热处理对CuIn(S,Se)2薄膜断面成分均匀性的影响,对经"一段式"热处理(500 ℃)和"二段式"热处理(250 ℃保温然后500 ℃)的样品进行了研究.XRD测试结果表明,经过"一段式"热处理后的样品XRD(112)峰出现劈裂现象,而经过"二段式"热处理的样品XRD(112)峰比较匀称.GIXRD和EDS测试证明样品经过"二段式"热处理后断面成分均匀性较好.通过XRD 和Raman测试对两种热处理下的反应机理进行了研究,阐述了两种热处理对CuIn(S,Se)2薄膜断面成分均匀性的影响的内在原因. 相似文献
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利用化学浴沉积法制备适合于铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料的CdS多晶薄膜,研究了在不同温度和不同时间下沉积薄膜的性质.薄膜生长开始由ion-by-ion机制控制,随着时间的进行,cluster-by-cluster机制占据主导.薄膜的生长速度随着沉积温度的升高而快速增加,直到达到饱和厚度.并且饱和厚度随温度升高而相应降低.SEM表明随沉积时间增加以及温度升高,薄膜表面形貌从多孔到粗糙的不均匀转变.XRD结果显示,薄膜由立方和六方两相结构组成,控制沉积时间对薄膜的主要晶相结构很关键.所有温度下沉积的CdS 相似文献
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