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1.
T′相R2CuO4稀土铜氧化合物由于尺度效应而产生弱铁磁性行为已经被人们关注,报导了通过高温高氧压(6GPa,1000℃)合成稀土T′相R2CuO4(R=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Tm)化合物的结构和磁学性能。磁化率曲线显示,在低温下所有的高压增氧R2CuO4样品都出现新的低温弱铁磁性反常行为,转变温度在28K附近。新的低温弱铁磁性行为是由于CuO2面上微量氧空穴的掺入,使处于反铁磁有序CuO2面形成局域化的铁磁性团簇造成。实验证明新发现的低温弱铁磁性行为与尺度效应产生弱铁磁性行为属于完全不同的物理机制。结果还预示T′相R2CuO4稀土铜氧化合物很难通过空穴掺杂而实现超导。  相似文献   
2.
3.
本文利用武汉电离层观象台的加密频高图和三站Doppler图记录及新近提出的短波扰动反演方法,分析了1985年全球大气重力波联测(WAGS)期间10月18日这天白天的重力波扰动,发现在该日扰动中有两列不同形态的波列分别属于中尺度的内重力波和大尺度的导制重力波。本文还进一步估算了这两列重力波的水平传播参量,深入分析了它们的频谱结构的高度变化特征,发现了重力波功率谱谱峰的分裂和偏移等重要现象。本文结果表明,新的反演方法使电离层无线电汉诊断的简易短波实验系统,也能成为探测和研究重力波一类大尺度电离层动力过程的有效手段。  相似文献   
4.
马树华  景遐斌 《电化学》1997,3(3):293-296
研究了人工施加的无机固体电解质体膜对锂碳负极电池性能的影响作用,结果表明碳电极的容量及首次充放电效率相对于未改性电极都得到了一定程度的提高。显示了以这层外界人工施加的晶体膜替代的电极体系本身所形成的钝化膜之有效性,扫描电子显微镜的研究直观地显示了这层人工施加膜的均匀,致密性质。  相似文献   
5.
灰色Verhulst模型的样条插值函数的残差修正   总被引:4,自引:0,他引:4  
本用样条函数对灰色Verhulst模型的残差序列进行插值拟合,然后作用于二阶线性微分方程,并以此修正原模型,得到一种新的预测模型的数值解,提高了拟合的精确度。  相似文献   
6.
让光林  徐侃 《东北数学》2003,19(4):306-310
In this paper we prove the pathwise uniqueness of a kind of two-parameter Volterra type stochastic differential equations under the coefficients satisfy the nonLipschitz conditions. We use a martingale formula in stead of Itǒ formula, which leads to simplicity the process of proof and extends the result to unbounded coefficients case.  相似文献   
7.
采用光电法研究炸药反应区结构的实验装置如图1所示,炸药装置用平面波透镜起爆。为了屏蔽炸药爆轰发光,在炸药样品和窗口材料氯仿之间用0.01mm厚的铜箔隔开。然后用硅油将铜箔紧紧地贴在被测样品的表面,其目的是避免炸药样品与铜箔之间有空气隙存在,以免其影响测试精度。为了防止氯仿的渗漏,在铝套筒和炸药样品之间用真空油脂密封。光纤一端直接插入装置之中,另一端和高温计的各通道相连。炸药爆轰后,在透明液体氯仿中产生冲击波,在冲击波作用下液体发光,光纤和光电倍增管将光信号转变为电信号,记录在示波器上,计算得到氯仿中的冲击波温度随时间的变化曲线。  相似文献   
8.
We study the external optical feedback resistance of both index-coupled(IC) and gain-coupled distributed feed-back(DFB) lasers using a very simple experimental set-up.Though IC-DFB lasers with large coupling coefficients are found to be less sensitive to external reflection,they suffer from mode instability at high injection level.On the other hand ,the introduction of gain-coupling mechanism can significantly improve both the immunity of external optical feedback and the single mode yield of the device.  相似文献   
9.
10.
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