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空穴注入层对有机发光二极管的性能有重要的影响,尤其是当器件中的空穴传输材料的最高占据分子轨道能级较深的时候。近年来有许多关于新型的溶液法空穴注入材料的研究。在本文中,我们对溶液法MoO3薄膜使用了三种不同的处理方法来研究其对空穴注入性能的影响,即:在空气中150 ℃退火;在空气中150 ℃退火再紫外臭氧处理(UVO) 15 min;只进行UVO处理15 min。结果发现当MoO3薄膜在空气中150 ℃退火后,器件的电流最小,空穴注入能力最差。而当MoO3薄膜经过UVO处理后,器件的电流显著增大,工作电压大幅下降,器件性能接近于蒸镀的MoO3薄膜的器件。更惊喜的是,这种改善在MoO3薄膜仅作UVO处理后也可获得。经定量计算发现MoO3薄膜经过UVO处理后的空穴注入效率能提高到约0.1。XPS分析表明通过UVO处理后,MoO3薄膜中Mo5+成分减少并且薄膜表面的富氧吸附物被有效地消除,使得其化学计量基本与蒸镀的MoO3薄膜相同。基于这种经UVO处理的溶液法MoO3作为空穴注入层,器件的最大电流效率可达到48.3 cd∙A−1。 相似文献
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发现了空间接近的双温勒伯(Weinreb)酰胺与格氏试剂在温和条件下的单取代反应, 该反应普适性强、 操作简便且产率高, 反应存在动力学控制和热力学控制2种产物. 机理分析表明, 该反应发生了分子内亲核取代反应, 并生成了稳定的单取代中间体, 从而避免了双取代反应的发生. 通过该反应制备了一系列4-取代酞嗪酮类化合物, 合成了基于酞嗪基团的纯红光三环金属化铱(Ⅲ)配合物, 采用该配合物制备的有机电致发光器件表现出高效率[最大外部量子效率(EQEmax)=10.3%]和低浓度猝灭性能. 相似文献
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