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侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察 总被引:1,自引:1,他引:0
在有条状SiO2图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到4.5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO:掩膜上方都形成了空洞。样品在240℃熔融的KOH中腐蚀13min。在SiO2掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度)减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到10^8cm^-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的CaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的CaN中的晶格失配应力已被部分释放。 相似文献
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在HCl(aq)和ZnCl2 溶液中 ,空气中的氧对Ag AgCl电极电势影响较小 ,引起Ag AgCl电极电势升高的主要原因是光和氢的影响 ,光和氢同时存在时 ,影响更大。在实验过程中 ,可不通氮气除氧。 相似文献
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