基于多孔硅Bragg反射镜的液体浓度测量方法

提出了一种利用多孔硅Bragg反射镜(简称PSBR)的反射谱来测量液体浓度的新方法。当在PSBR的孔内浸入不同浓度的液体时,多孔硅的有效折射率会发生变化,从而引起PSBR反射谱峰位发生变化。利用脉冲腐蚀法制备PSBR,采用正交参数设计法优化实验参数。对其进行了浓度测量实验和验证实验,测量误差小于0.14%。     

多孔硅成核的电化学研究

将p型单晶硅在HF溶液中进行阳极电化学腐蚀制备出孔隙率约为30%~85%、直径为2~30nm不等的多孔硅,用原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌。采用电化学工作站(CHI660A)监测p型硅电极在不同浓度HF溶液中的电流-电压特性,记录恒电流情况下硅电极的电压变化。这些曲线可从精确反映多孔硅形成的早期成核过程。将这些电化学特性曲线在同一坐标轴下显示,得出多孔硅的电化学成核机理。