CeF3闪烁探测器对DD中子的相对灵敏度

用国内近年新研制的CeF3闪烁体和常用闪烁体ST401分别配特性相同的光电倍增管,构成两种闪烁体探测器,在强度不随时间变化的DD中子源场中测量了这两种闪烁探测器的相对灵敏度,测量结果表明：CeF3闪烁探测器对DD中子的灵敏度比同尺寸ST401的灵敏度低一个量级以上。     

Al2O3/TiB2/AlN/TiN复合陶瓷材料的力学性能及显微结构

将金属Al、Al3Ti和TiB2以AlTiB中间合金的形式引入Al2O3基体材料中,采用热压原位反应生成法制备了Al2O3/TiB2/AlN/TiN复合陶瓷材料.复合材料在烧结过程处于过渡液相烧结,并有新相AlN和TiN生成;对热压烧结后材料的硬度、断裂韧性和抗弯强度进行了测试和分析;分析了复合材料力学性能随AlTiB体积百分含量的变化规律;探讨了复合材料断面断裂方式的变化对其力学性能的影响;并对AlTiB中间合金的细化特性进行了分析.     

四配位硅单体及其共聚物的制备和结构表征

研究了直接从无定形二氧化硅出发, 与乙二醇、氢氧化钾反应, 生成高反应活性的五配位硅钾化合物, 并以此为原料与含活泼氯的3-氯丙烯反应制备出含双键官能团的四配位硅单体. 讨论了合成单体的条件如温度、反应时间、反应物浓度、溶液pH值及溶剂等因素的影响. 然后以该四配位硅单体与甲基丙烯酸甲酯(MMA)在偶氮二异丁腈(AIBN)作引发剂下进行自由基聚合得到支链含硅共聚物. 并借助于红外光谱(IR)、核磁共振(¹³C和¹H, ²⁹Si)、能谱元素分析对合成的单体进行了结构表征; 用红外光谱(IR)、热失重谱(TG)、差示扫描量热谱(DSC)、凝胶渗透色谱法(GPC)等现代测试手段对支链含硅共聚物进行了结构表征及热性能分析. IR表明四配位硅单体在1646 cm^－1处是C＝C的伸缩振动吸收峰, 在共聚物中此峰消失; TG表明共聚物在249.6 ℃才开始失重, 552 ℃有机部分失重完毕; GPC分析表明共聚物的数均分子量为8.7万.     

科技文献绩效定量评价与可比性研究

采用综合指数评价法对SCI、CSTPC收录论文进行定量评价与可比性研究；讨论了采用指数模型以及同一标准的计算方法，克服了指标量纲不同以及不同样本的不可比问题，为多指标系统科技文献绩效定量评价创造了条件，取得满意结果；在绩效定量评价中采用5项评价指标，不仅可以为中国高校发表的科技论文定量评价排序，而且为综合分析创造条件。     

DPF中子峰下波形测量数据计算中长电缆滤波影响的研究

建立了一套门控闪烁测量系统（门控ST-PMT系统）, 测量了稠密等离子体聚焦（DPF）波形后沿中子峰下3～4个量级的物理图像, 分别讨论了长电缆对 DPF D-D, D-T中子峰下3～4个量级波形测量的影响, 采用数学方法分析了长电缆作为频率滤波函数在解逆卷积函数中的应用, 解析了电缆带宽对测量结果的影响。The influence of the Fourier Transform on long cable in the measurement of fall time of DPF neutron profile is discussed by mathematical methods. The application of anti convolution function with the Fourier Transform on long cable is analysed. The time interval between the peak time and the time that the height falls 3 orders of magnitude after peak is measured with gated detector array system which consists of PMT(photomultiplier tube) and organic scintillation crystal.     

孔底空腔爆炸应力场分布的动光弹试验研究

在保护层开挖中,孔底空腔装药爆破的方法被证明对保护建基面是行之有效的。为了研究炮孔孔底空腔装药结构的爆炸作用机理,运用动光弹试验模拟介质受到爆炸载荷作用下的动态响应,分析了不同装药结构的孔底应力场分布情况及其作用规律;文中介绍了动光弹模型试验设计参数,通过对试验中条纹级数与比例距离曲线的对比分析,得出了合理的孔底空腔能有效地降低爆炸峰值压力和有利于保护建基面的结论。     

三角代数上 Jordan 积为幂等元处的高阶ξ-Lie 可导映射

设U=Tri（A,M,B）是三角代数,{φ_n}_n∈N：U→U是一列线性映射.本文利用代数分解的方法,证明了如果对任意U,V∈U且U?V=P为标准幂等元,有φ_n（[U,V]_ξ=Σ_i+j=n（φ_i（U）φ_j（V）-ξφ_i（V）φ_j（U））（ξ≠1）,则{φ_n}_n∈N是一个高阶导子,其中φ₀=id为恒等映射,U?V=UV+VU为Jordan积,[U,V]_ξ=UV-ξVU为ξ-Lie积.     

Vaidya-Bonner时空中荷电Dirac粒子的Hawking辐射

在Vaidya-Bonner时空中对荷电Dirac旋量粒子的动力学行为进行了研究,得到荷电Dirac方程的径向部分在黑洞视界附近的渐近解,并且准确地定出了带电蒸发黑洞的事件视界、Hawking温度以及Dirac粒子的Hawking辐射谱。从而为处理动态黑洞辐射反作用问题提供了一种新的方法。     

含圆孔纳米薄膜在拉伸加载下变形机理的原子级模拟研究

采用分子静力学方法结合量子修正的 Sutton-Chen多体势研究了含圆孔的纳米薄膜在单向加载过程中的力学行为,并采用共近邻分析方法研究了薄膜的微结构演化过程.模拟结果表明：孔洞的引入显著地降低了纳米薄膜的杨氏模量和屈服应力;在拉伸过程中,孔洞的形状随着应变的增加逐渐由圆形变为椭圆形,最终孔洞闭合;纳米薄膜在进入塑性变形阶段后,薄膜内部出现原子的堆跺层错,这种层错结构的出现是肖克莱不全位错在薄膜内部沿着{111}面的［112］方向运动的结果. 关键词： 纳米薄膜 力学性质 位错 分子静力学     

溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管

本文采用溶胶凝胶法制备了锆掺杂铝氧化物(锆铝氧化物)和铪铟锌氧化物薄膜,并用于制造薄膜晶体管的绝缘层和有源层.锆铝氧化物绝缘层具有较高的介电常数,其相对介电常数为19.67,且薄膜表面光滑,致密,其表面粗糙度仅为0.31 nm.获得的薄膜晶体管具备良好的器件性能,当器件宽长比为5时,器件的饱和迁移率为21.3 cm2/V·s,阈值电压为0.3 V,开关比可以达到4.3×107,亚阈值摆幅仅有0.32 V/dec.