二芳基乙烯类光致变色材料的合成概述

由于具有多种潜在的应用价值, 光致变色化合物作为高级功能材料的研究在国内外广受关注. 在众多的有机光致变色化合物中, 二芳基乙烯特别是二噻吩乙烯, 由于其具有良好的热稳定性和优良的耐疲劳度而成为这类化合物的杰出代表. 近年来, 有关二芳基乙烯类光致变色化合物的各种合成及性能方面的报道已涉及到信息存储、分子开关、逻辑电路、液晶显示、磁性材料等众多领域. 主要是从有机合成的角度, 对这类材料的合成进行了较为全面的概括, 对各种合成方法分别加以介绍和分析, 对其发展趋势予以探索和展望.     

天线反射器背架结构条件预优设计

本文根据天线结构的特点,引入预条件概念,推导出“亏差” (不平衡力)方程,把其优化问题归结为表现问题求解,称作天线反射器结构条件预优设计方法。这一方法具有计算时间少、方法灵活方便等优点。不但适用于天线结构优化,而且对以刚度控制要求为主的大型复杂结构优化也有—定的参考价值。     

Landau规范下均匀磁场中带电粒子圆心相干态计算

在Ｌａｎｄａｕ规范下计算出均匀磁场中带电粒子的圆心相干态。利用这些圆心相干态可方便地描述带电粒子的圆周运动。这些圆周运动与经典力学的结果比较表明，圆心相干态描述系综中的平均运动． 关键词：     

银纳米微粒荧光猝灭法测定水中痕量ClO2

在pH 9.1的NH4Cl-NH3·H2O缓冲溶液中,银纳米微粒在470 nm处产生一个荧光峰;它能被ClO2氧化导致体系的荧光发生猝灭.ClO2浓度在0.001 1～0.185μg·mL-1范围内与荧光猝灭强度成良好的线性关系,检测限为0.004 7μg·mL-1 ClO2.据此建立了测定ClO2的荧光分析新方法,用于饮用水中ClO2的测定,结果满意.     

用2D-NMR研究暗霉素T的化学结构

该文用NMR方法研究暗霉素T的化学结构.从1D谱和几种2D技术确认了暗霉素T是氨基糖苷类化合物.讨论了化合物的构型,并通过改变溶剂推断了氨基的连接位置.     

罗丹明B荧光猝灭法测定水中痕量亚氯酸根

在有KI存在的乙酸钠-HCl酸性缓冲溶液中,用520 nm光激发罗丹明B(RhB),在580 nm处有一个荧光峰。当有亚氯酸根(ClO-2)存在时,罗丹明B荧光峰发生猝灭。亚氯酸根浓度在0.021 8～0.51 μg·mL-1范围内与荧光猝灭强度成线性关系,据此建立了一个简便灵敏的亚氯酸根荧光分析新方法,用于测定合成水样中(ClO-₂)的分析,结果令人满意。     

金属薄膜表面化学反应活性中的量子尺寸效应

本文首先简要介绍了金属薄膜的量子尺寸效应及其对表面化学性质的影响,然后对Pb/si体系量子尺寸效应的近期研究进行了综述,最后详细介绍了量子效应对表面化学反应活性的影响.扫描隧道显微镜观察表明:在Pb(111)单晶薄膜表面卜的分子吸附和氧化反应随着薄膜厚度一个原子层一个原子层变化时会出现振荡现象.通过研究薄膜中量子阱态的形成、费米能级处电子态密度的变化与薄膜的表面反应活性之间的关系,我们从实验上直接定量地证明了最子尺寸效应对表面反应活性的调控作用.     

Sc-Y-Ba-Cu-O高温超导材料的电子结构——Sc替代Y晶位

本文用第一性原理解 Schr(?)dinger 方程的 recursion 方法在紧束缚近似下计算了YBa_2Cu_3O_7和 Y_(0.5)Sc_(0.5)Ba_2Cu_3O_7晶体的局域电子态密度.考虑到 Cu 晶位的晶场分裂和采用了修正过的参量后,YBa_2Cu_3O_7的计算结果比原来有改进.Sc 散代 Y 晶位对电子结构的影响不大.如果不考虑 Sc 替代时对氧缺位的影响,Sc 替代本身并不直接导致 Cu 的价数的明显变化.