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利用三次非均匀有理B样条,给出了一种构造局部插值曲线的方法,生成的插值曲线是C2连续的.曲线表示式中带有一个局部形状参数,随着一个局部形状参数值的增大,所给曲线将局部地接近插值点构成的控制多边形.基于三次非均匀有理B样条函数的局部单调性和一种保单调性的准则,给出了所给插值曲线的保单调性的条件. 相似文献
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J.Achari 在[1]中证明了非阿基米德Menger空间中几个不动点定理,近年来不少人讨论过这类问题.在此基础上,本文给出非阿基米德 Menger 概率度量空间中单值和集值映象的几个不动点定理,本文的结果改进和发展了引文[1,3]中相应的结果.文中所用到的有关概率度量空间的概念和符号均见[4].定义1.设 E 是一非空集,为一切左连续的分布函数的全体.称(E,(?))为非 相似文献
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自发现四硫富瓦烯(TTF)与四氰代对二次甲基苯醌(TCNQ)电荷转移复合物具有金属导电性以来,高电导有机化合物的研究已引起广泛兴趣。本文报道有关3,3′,5,5′-四苯基-2,2′-双亚硫杂环己二烯(2,2′DIPSΦ_4)与TCNQ和碘的复合物的合成及物理性能的研究。 2, 2′DIPSΦ_4的紫外一可见光谱在整个吸收范围内都比TTF有更强吸收,并一直延伸到700nm。另外,它的第一、第二半波电位亦比TTF小,与4,4′DIPSΦ_4,相似(表1)。由此可见,它有希望与合适的电子受体形成高电导的电荷转移复合物。 相似文献
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比较三七不同部位(剪口、须根、主根、茎叶、果梗和花)中皂苷组成的差异.以HPLC方法,测定了果梗中Rb3、Fp2、Fc和Rd四种成分的含量;判断了三七不同部位中皂苷类成分的异同.用Agilent HC-C18色谱柱(4.6×250 mm,5 μm)分离;乙腈-水为流动相,梯度洗脱,流速:1.0 mL/min;检测波长:203 nm.发现三七地下部位中含有较多的三醇型皂甙,地上部位含有较多的二醇型皂甙.人参皂苷Rd、Rb3和三七皂苷Fc、Fp2在 0.2~2.0 mg/mL范围内线性关系良好(R2>0.9993),果梗中Rb3、Fp2、Fc和Rd的含量分别为1.4%、0.68%、0.71%和0.31%.三七地上部位与地下部位的化学成分差异较大;果梗、茎叶和花中皂甙成分极其相似,可以初步认为果梗能够代替茎叶提取皂苷.首次对果梗中Rb3、Fp2和Rd的含量进行了测定,且本实验建立的HPLC方法,为果梗的质量控制提供了一种简单、快速和灵敏的手段. 相似文献
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李凯旋;张泰隆;李会增;李明珠;宋延林 《物理化学学报》2020,36(9):1911057-0
纳米材料由于其独特的光、电、磁、力学等性质,成为了构建功能材料与器件的理想基元。实现纳米粒子的精确组装,是探究粒子之间的耦合聚集性质和制备宏观功能器件的基础。但是由于纳米粒子的小尺寸以及在溶液中运动的随机性与复杂性,精准控制纳米粒子组装体的形貌以及在空间中的相对位置仍存在巨大挑战。为了将纳米粒子组装成理想的有序结构,许多控制粒子组装的策略与方法得到发展。本文首先概述了纳米粒子自组装的控制方法与典型形貌,着重分析了影响粒子精准排布的因素与控制方法,并对纳米粒子及其组装体的光学性质与器件应用的最新研究进展进行了讨论,最后对目前纳米粒子精准组装所面临的挑战以及未来发展的方向进行了展望。 相似文献
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从实验室自建的化合物库中筛选出2个可检测神经毒剂的比色探针Z1,Z2。紫外光谱实验表明Z1,Z2的紫外吸收波长分别为424,446 nm;加入神经性毒剂模拟剂后,Z1,Z2的紫外吸收波长分别红移至556,542 nm,在3 s以内观察到颜色的显著变化,可实现裸眼识别,2 min内可完全反应。回收率实验表明探针Z1,Z2可以定量检测神经毒剂,Z1的检出限为0.57μmol/L。可将Z1制备成检测试纸用于神经性毒剂梭曼的快速检测。与制式的检测试纸FZZ01相比,Z1试纸具有灵敏度高、变色显著的优势。 相似文献
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光子晶体是由不同折射率材料周期性排列而成的结构,由于其独特的光学性质及优异的色彩饱和度,已经成为结构色材料中最重要的类型.过去几十年来,纳米粒子自组装制备光子晶体具有精准、成本低以及易大面积等优势,已经得到了广泛的研究和关注.综述了近期光子晶体结构色材料的研究进展,包括其基本的生色机制,制备方法以及在显示、色度传感和信息防伪加密等方面的实际应用.其中重点讨论了“自下而上”自组装的制备方式,并且强调了图案化和大面积结构色材料的制备方法.最后,对目前自组装制备光子晶体结构色材料所面临的挑战以及未来发展的方向进行了展望. 相似文献
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静电放电(electro-static discharge, ESD)防护结构的维持电压是决定器件抗闩锁性能的关键参数,但ESD器件参数的热致变化使得防护器件在高温环境中有闩锁风险.本文研究了ESD防护结构N沟道金属-氧化物-半导体(N-channel metal oxide semiconductor, NMOS)在30—195℃的工作温度下的维持特性.研究基于0.18μm部分耗尽绝缘体上硅工艺下制备的NMOS器件展开.在不同的工作温度下,使用传输线脉冲测试系统测试器件的ESD特性.实验结果表明,随着温度的升高,器件的维持电压降低.通过半导体工艺及器件模拟工具进行二维建模及仿真,提取并分析不同温度下器件的电势、电流密度、静电场、载流子注入浓度等物理参数的分布差异.通过研究以上影响维持电压的关键参数随温度的变化规律,对维持电压温度特性的内在作用机制进行了详细讨论,并提出了改善维持电压温度特性的方法. 相似文献