La2O3-Mo5Si3/MoSi2复合材料的高温氧化行为

研究了0．8％La2O3-MosSi3／MoSi2复合材料在1200℃空气中的高温氧化行为。结果表明：0．8％稀土和MoSi3的加入，使材料的抗氧化性能降低。MosSi3含量越高，材料的抗氧化性能越差。当MosSi3含量低于30％时，在氧化初始阶段，质量变化呈直线下降，随着氧化的进行，氧化逐渐增重，材料表面形成较致密的SiO2阻止了材料的进一步氧化，使得氧化增重较小。而0．8％La2O3-40％Mo5Si3／MoSi2复合材料却出现了“粉化”现象。0．8％La2O3．MosSi3／MoSi2复合材料抗氧化性能的降低，归因于Mo5Si3差的抗氧化性和材料致密度的降低；另外，稀土和Mo5Si3的加入，细化了材料的晶粒，使晶界面积增加，加速了氧在晶界中的扩散，促进了材料的氧化。     

过渡金属离子对HPAsMoVO杂多酸的氧化性能的影响

用H2-TPR方法研究了过渡金属离子及其含量对杂多酸-HxPAs0.2Mo10VOy的氧化性能的影响,并在固定床反应器上考察了M0.2HxPAs0.2Mo10VOy(M=Fe3 、Co2 、N i2 和Cu2 )催化剂对异丁烷选择性氧化的催化性能.研究结果表明用过渡金属离子取代杂多酸中的质子,可以在较大程度上增强杂多酸的低温氧化能力,其中Fe3 对增强杂多酸的催化活性最为明显,而Cu2 却有利于提高目的产物甲基丙烯酸的选择性.     

壳寡糖与镧、铈配合物的合成、表征及应用

合成了壳寡糖，镧和壳寡糖，铈配合物，用红外光谱和紫外光谱进行了表征，并证实了氮，金属(N-M)键的形成，元素分析证实配合物中各元素C：H：N：La或Ce的原子个数比分别接近于24：44：4：1，即相当于配位数为4。壳寡糖一镧和壳寡糖一铈较未配位的镧或铈具有更强的催化氧化能力。配合物除去废液中磷[(PO)^3-4]的效果比未配位的镧和铈提高10％。配合物可提高蔬菜、水稻种子的发芽率，促进作物的营养生长，提高水稻产量3，3％，提高黄瓜产量12％～15％，对十字花科蔬菜的病毒有一定的抑制作用。     

双柱气相色谱法测定有机物的正辛醇/水分配系数

通过对烷烃，醇类等有机物在五种不同极性固定相上的气相色谱保留值的测定，提出了从有机物气相色谱保留值测定其正辛醇/分配系数的公式，研究了从不同极性固定相上测得的保留值来测定其分配系数的准确性，得出烷烃类在所有柱上测得的保留值与其分配系数间均具有很好的关联，烷烃醇类在极性相异柱上的保留值之比值与其分配系数间也有很好的相关性，从而为烷烃及醇类等有机物分配系数的测定提供了一种简单、可靠，易行的新方法。     

醇在α-A12O3和硅胶G表面上的脱附规律

吸附质在两相界面上的吸附行为对多相催化、界面化学等有重要意义[1,2]。本文采用程序升温法分别测定了13种醇在α Al2O3和硅胶G表面上的脱附温度td,发现td与醇的沸点及烷基化效应指数[3](PEI)有定量关系。1　实验红外干燥箱100℃干燥30分钟后的吸附剂在所研究的吸附质的饱和蒸汽压、室温下平衡24-48h,以达到吸附平衡;取20-25mg吸附平衡后的吸附剂,用PCT 1A型差热天平进行TG/DTA分析,升温速率为2 5℃/min,升温范围从室温到250℃,由计算机进行数据采集(RSZ 200热分析系统软件),从DTA曲线的最高峰值确定脱附温度,每个样品重复3-5…     

靛红在碳糊电极上的阴极吸附伏安法研究

利用极谱分析仪,在0.40 mol/L的HAc-NaAc(pH 6.0)缓冲液中,发现靛红在碳糊电极(CPE)上有一灵敏的吸附伏安还原峰,峰电位为-0.44 V(vs.SCE)。该还原峰的二阶导数峰电流与靛红的浓度在4.0×10-8~1.0×10-7mol/L(富集90 s)范围内成良好的线性关系,相关系数为0.9954,检出限为8.0×10-9mol/L(S/N=3,富集110 s)。探讨了靛红在碳糊电极上的伏安性质和电极反应机理,并且成功应用于中草药青黛中靛红含量的测定。     

手性催化剂环二肽类化合物的微波合成

以L-苯丙氨酸或L-亮氨酸为起始原料,经过氨基保护和羧基酯化得到N-苄氧羰基-L-广苯丙氨酸-对硝基苯酯(4a)或N-苄氧羰基-L-亮氨酸-对硝基苯酯(4b);4在三乙胺作用下与L-组氨酸甲酯盐酸盐缩合得到直链二肽N-苄氧羰基-L-苯丙氨酸-L-组氨酸甲酯(5a)或N-苄氧羰基-L-亮氨酸-L-组氨酸甲酯(5b);Pd/C催化5脱掉保护基后在微波辐射下,经环化反应合成了手性催化剂环二肽(6a或6b),其结构经1H NMR和IR表征.重点考察了由5合成6的反应条件.结果表明,以甲醇为溶剂,于65 W辐射120 min,6a和6b的产率分别达到90%和68%.     

N掺杂对非晶C薄膜的电子结构与光学性质的影响

用直流磁控溅射法制备了非晶C薄膜及N掺杂非晶C(a-C∶N)薄膜,用紫外-可见分光光谱仪、椭圆偏振仪、俄歇电子能谱(AES)等对薄膜进行了检测。结果表明：随源气体中N气含量的增加,透过率和折射率变小, 而光学带隙先增大后减小; 当薄膜中N的含量很少,N的掺入对sp3杂化C起稳定作用,使得薄膜光学带隙E_g增大。而较高量N的掺入抑制了sp3杂化C的形成,提高了薄膜中sp2键含量,使得薄膜光学带隙变小。参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值来计算薄膜的sp2键的百分含量,俄歇电子能谱(AES)表征也表明：较高量的N的掺入抑制了sp3杂化C的形成。所以应该考虑在较低N分压条件下掺N来改善非晶C薄膜的光学性能。     

扩张环上的$\Sigma$-相伴素理想

作为对相伴素理想与幂零相伴素理想的推广,我们在本文中引进了$\Sigma$-相伴素理想的定义,探讨了$\Sigma$-相伴素理想的基本性质,证明了Ore扩张环$R[x;\alpha,\delta]$、斜洛朗多项式环$R[x,x^{-1};\alpha]$及斜幂级数环$R[[x;\alpha]]$的$\Sigma$-相伴素理想都分别可以用环$R$的$\Sigma$-相伴素理想来刻画,从而将相伴素理想与幂零相伴素理想的一些已有结论推广到更一般的情形.     

聚二乙基二烯丙基氯化铵的合成与表征

以二乙基二烯丙基氯化铵为原料采用过硫酸盐水溶液引发体系合成了聚二乙基二烯丙基氯化铵(PDEDAAC).探讨了单体、引发剂和助剂EDTA的浓度及温度对产物的特性粘数和单体转化率的影响,确定了适宜的工艺条件,并用元素分析、FT-IR和1H NMR对产物的结构进行了表征.结果表明,当单体浓度≥3.00 mol/L、引发剂浓度为0.015~0.020 mol/L、EDTA浓度为0.40~0.60 mmol/L、聚合反应温度为50~55℃、反应时间为6 h时,产物的特性粘数可达223 mL/g,单体转化率大于98.00%.