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1.
对水热处理后得到的USY沸石作进一步的酸处理以及采用改进的氟硅酸盐溶液骨架富硅工艺,分别得到了经XPS剖面分析证实为铝分布均匀的超稳Y沸石HAY-Ⅰ和HAY-Ⅱ。IR分析表明,在酸处理过程中从USY沸石中去掉的那部分非骨架铝类与3690cm~(-1)处羟基有关,仍残留在HAY-Ⅰ沸石中的那部分非骨架铝类与3670cm~(-1)和3600cm~(-1)处羟基有关。XRD和化学分析表明HAY-Ⅰ沸石仍含有约50%的非骨架铝类,而HAY-Ⅱ沸石则基本上不含非骨架铝类,HAY-Ⅱ沸石还显示更高的结晶保留度。DTA分析表明,HAY-Ⅰ和HAY-Ⅱ两种沸石的热稳定性均高于USY沸石。 相似文献
2.
3.
4.
系统研究了表面润湿法合成β沸石的体系中,干晶种、润湿态晶种、异晶晶种(Y沸石、ZSM 5沸石)以及碱处理β沸石晶种在此晶化体系中的作用.采用β沸石产品及异晶作晶种时,可使产品的相对结晶度稍有提高,但对沸石微晶核的结构导向作用不明显.经浓碱液处理20min后的β沸石产品(碱处理晶种)作晶种引入晶化体系后,可以显著提高产品的相对结晶度,降低模板剂的用量,缩短晶化诱导期,成为表面润湿法合成β沸石体系的有效晶种形式. 相似文献
5.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了硅纳米晶(Si75H76)在B和P掺杂和乙基(—CH2CH3)、异丙基(—CH(CH3)2)表面改性等情形下态密度、结合能及能隙的变化。结果表明:掺杂对体系的禁带宽度(约3.12eV)几乎没有影响,但会引入带隙态;三配位的B掺杂,在禁带中靠近导带约0.8eV位置引入带隙态,三配位的P掺杂在禁带中靠近价带0.2eV位置引入带隙态;四配位的B掺杂,在禁带中靠近价带约0.4eV位置引入带隙态,四配位的P掺杂在禁带中靠近导带约1.1eV位置引入带隙态;且同等掺杂四配位时体系能量要低于三配位;适当的乙基或异丙基表面覆盖可以降低体系的总能量,且表面覆盖程度越高体系能量越低,但在表面嫁接有机基团过多将导致过高位阻,计算时系统不能收敛。 相似文献
6.
本文介绍一台采用双潘宁型多电荷重离子源的200kV重离子加速器,简述它在GaP光探测器的研制、聚合物材料和金属材料的离子注入改性等方面的研究与应用。 相似文献
7.
以四(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基丙酸)季戊四醇酯(抗氧剂1010)、Na2SO3作为乙醇胺(MEA)的氧化降解的改性剂,考察改性MEA富集模拟烟道气中CO2的效果,利用气相色谱、红外光谱分析抗氧剂1010与Na2SO3的适宜用量、比较两种抗氧剂的抗氧化性能.结果表明,抗氧剂1010和亚硫酸钠的添加量在0.15%时效... 相似文献
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10.