光纤放大器为光通信创造了新的可能性

第一个光纤放大器是在1963年出现的.光纤放大器具有低插入损耗、低噪声、高饱和功率和比较容易装配等优点,因此它们应用得越来越广泛.光纤放大器技术不断地有新发展,到80年代中期这种技术变得十分流行了. 掺铒光纤放大器已成为 1.5 μm光纤通信系统中的基本部件,这种放大器似乎适合于很高的数据传送速率.美国新泽西州 Red Bank贝尔通信研究所的H.Izadpanah等人做了掺铒光纤放大器和半导体激光放大器的对比实验.他们产生速率为100Gb/s的试验光信号,使它们通过这两种放大器.光纤放大器在25.5Gb/s和100Gb/s的数据传送速率下显示几乎无畸变的…     

低温制备Mn4+掺杂Gd2ZnTiO6红色荧光粉及其发光性能研究

Mn4+掺杂A2BB'O6型双钙钛矿红色荧光粉可应用于植物生长照明领域而受到广泛研究,但该类荧光粉的合成温度普遍较高.通过添加一种新的助熔剂LiCl,成功将Gd2ZnTiO6:Mn4+ (GZTO:Mn4+)的合成温度从1300℃降低至950℃.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、激发...     

980 nm脉冲激发下Er3+掺杂材料中4Ⅰ13/2→4Ⅰ15/2跃迁的瞬态行为

在过去的几十年人们对Er3+掺杂的玻璃材料进行了广泛的研究,因为Er3+的4Ⅰ13/2→4Ⅰ15/2跃迁能够给出适合红外光通讯窗口的1.5 μm的发射.据我们所知,目前关于脉冲激光激发下Er3+掺杂材料1.5 μm发射的动力学行为研究报道仍很少.我们引入了转移函数理论,研究了980nm脉冲激发下Er3+的4Ⅰ13/2能级荧光的动力学行为.发现在980nm脉冲激发后,其荧光衰减遵循双指数规律,4Ⅰ13/2能级布居分为指数上升和指数下降两个过程.     

纳米晶硅的掺杂及表面改性研究(英文)

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了硅纳米晶(Si75H76)在B和P掺杂和乙基(—CH2CH3)、异丙基(—CH(CH3)2)表面改性等情形下态密度、结合能及能隙的变化。结果表明:掺杂对体系的禁带宽度(约3.12eV)几乎没有影响,但会引入带隙态;三配位的B掺杂,在禁带中靠近导带约0.8eV位置引入带隙态,三配位的P掺杂在禁带中靠近价带0.2eV位置引入带隙态;四配位的B掺杂,在禁带中靠近价带约0.4eV位置引入带隙态,四配位的P掺杂在禁带中靠近导带约1.1eV位置引入带隙态;且同等掺杂四配位时体系能量要低于三配位;适当的乙基或异丙基表面覆盖可以降低体系的总能量,且表面覆盖程度越高体系能量越低,但在表面嫁接有机基团过多将导致过高位阻,计算时系统不能收敛。     

Spin Polarization Properties of Na Doped Meridianal Tris（8-Hydroxyquinoline） Aluminum Studied by First Principles Calculations

We theoretically investigate the electronic structure and spin polarization properties of Na-doped meridianal tris（S-hydroxyquinoline） aluminum （Alq3） by first principles calculations. It is found that the spin density is distributed mainly in the Alq3 part in the Alq3：Na complex. Electron charge transfer takes place from the Na atom to the Alq3 molecule, which induces asymmetric changing of the molecule bond lengths, thus the spin density distribution becomes asymmetric. Spin polarization of the complex originates from the preferable filling of the spin-split nitrogen and carbon p-orbitals because of the different bond length changes of the Aiq3 molecule upon Na doping.     

Li+掺杂浓度对Y2O3∶Eu3+发光影响的理论

在团簇近似的基础上,利用分子动力学和密度泛函计算相结合的手段,在Y2O3∶Eu3 中研究了随Li 掺杂浓度的变化,缺陷形成情况以及C2位处Y-O键长的变化对电子态密度的影响.结果表明,随着Li 掺杂浓度的增加,与C2格位相关团簇的Y-O键平均键长出现了增加-减小-增加的变化趋势,这可能是引起此类材料发光强度随Li 浓度出现类似变化的原因.     

Intersubband transitions in InxAl（l-x）N/InyGa（l-y）N quantum well operating at 1.55 μm

In this paper, we theoretically study the effects of doping concentration ND and an external electric field on the intersubband transitions in InxAl（l-x）N/InyGa（l-y）N single quantum well by solving the Schrodinger and Poisson equations self-consistently. Obtained results including transition energies, the band structure, and the optical absorption have been discussed. The lowest three intersubband transitions （E2 -El）, （E3 -El）, and （E3 -E2） are calculated as functions of doping concentration ND. By increasing the doping concentration ND, the depletion effect can be reduced, and the ionized electrons will compensate the internal electric field which results from the spontaneous polarization. Our results show that an optimum concentration ND exists for which the transition 0.8 eV （1.55 μm） is carried out. Finally, the dependence of the optical absorption α13（ω） on the external electric field and doping concentration is studied. The maximum of the optical absorption can be red-shifted or blue-shifted through varying the doping concentration and the external electric field. The obtained results can be used for designing optical fiber telecommunications operating at 1.55 μm.     

Hg掺杂对BaPb1-xBixO3超导体中Pb和O的化学环境的影响

采用XPS方法对BaPb1-xBixO3超导体以及Hg掺杂BaPb1-xBixO3超导体进行了对照研究,结果表明当Hg取代Pb后,位于18eV和22eV的价带的强度发生变化并与样品的超导转变温度相关联,O1s和Pb4f谱峰也随Hg掺入而发生位移,说明随Hg的掺入BaPb1-xBixO3超导体的化学环境发生改变.