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云连英 《浙江大学学报(理学版)》2009,36(3):254-258
给出了基于q-整数的Stancu算子Ln(·,q),同时研究了该算子的一些基本性质.首先,利用q-Stancu算子作用于某一函数f(x)以后Ln(f,q;x)与f(x)变号数的关系,得到了该算子的保形性定理.其次,通过精细的不等式放缩,该算子作用于一般的连续函数后收敛于一极限算子,而不像一般算子那样收敛于函数本身,并用光滑模刻画了其收敛速度. 相似文献
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以硝酸铽、苯乙酮酸(HL), 2, 2'-联吡啶(dipy)、 1, 10-菲啰啉(phen)和三苯基氧膦(TPPO)合成了TbL3dipy(H2O)2, TbL3phen(H2O)2和TbL2(TPPO)2NO3 3种新型固态配合物. 用元素分析、电导率、红外光谱和核磁共振谱对其进行了表征, 确定了配合物的组成. IR表明, 配合物中羧酸根可能以单齿方式配位. 1HNMR显示, 苯乙酮酸根配位后苯环上5个氢原子的化学位移移向高场. 室温下测定了配合物的荧光激发光谱, TbL3dipy(H2O)2, TbL3phen(H2O)2和TbL2(TPPO)2NO3最佳激发波长分别为361.0, 359.0和367.0 nm;分别以最佳激发波长测定了配合物的发射光谱, 配合物TbL3dipy(H2O)2, TbL3phen(H2O)2 和TbL2(TPPO)2NO3显示Tb3+离子的特征发射光谱, TbL3dipy(H2O)2和TbL3phen(H2O)2均产生四条谱带, 分别归属于^5D4-^7Fj(j= 6, 5,4,3)能级跃迁(TbL3dipy(H2O)2: 489.0, 545.0, 584.0, 620.0 nm;TbL3phen(H2O)2: 490.0, 544.0, 583.0, 620.0 nm);但在相同测定条件下, TbL2(TPPO)2NO3仅显示5D4-7F5(544.0 nm)能级跃迁光谱. 3种配合物中TbL3dipy(H2O)2发光强度最高. 相似文献
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以硝酸铕、2-(4-氟代苯甲酰基)苯甲酸(HL)、1,10-菲咯啉(Phen)和三苯基氧膦(TPPO)合成了EuL3(H2O)6,EuL3Phen(H2O)4和EuL3(TPPO)(H2O)5三种固态配合物。用元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱对配合物进行了组分确定和结构表征。IR表明,2-(4-氟代苯甲酰基)苯甲酸与Eu3+形成配合物后,位于1 692 cm-1处羧基的νCO峰消失,2 500~3 200 cm-1处羧基的νO—H峰也消失,出现了羧酸盐特有的反对称伸缩振动吸收峰(νas(CO-2))和对称伸缩振动吸收峰(νs(CO-2)),且Δν(νas(CO-2)-νs(CO-2))与钠盐的Δν相近,说明羧酸根与Eu3+以对称双齿桥式配位。在1H NMR中,形成配合物后第一配体苯环上的质子峰变为宽峰且移向高场,Phen和TPPO中质子化学位移移向低场。室温下测定了配合物的荧光激发光谱和发射光谱,激发光谱表明配合物EuL3(H2O)6,EuL3Phen(H2O)4和EuL3(TPPO)(H2O)5的最佳激发波长分别为353.0,355.0和357.0 nm;发射光谱均显示Eu3+离子的特征发射光谱,且表明Phen对Eu3+离子的荧光发射有明显增强作用。 相似文献
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鉴于液位过程控制系统是时变、非线性、多干扰的复杂系统,因此通过对过程控制装置中双水箱液住系统的分析,建立相应控制策略,提出采用PID模糊镇定算法,并基于MATLAB仿真和MCGS组态软件进行相关应用实现.仿真和应用实现效果均表明:采用模糊PID控制的下水箱液位较常规PID控制具有响应速度快,且能较快地达到稳定,从而改善系统的性能. 相似文献
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大学课程中的\"金\"和\"水\"之争议成为热点,地方高校的材料力学课程亦面临此问题。为适应新工科建设和地方高校转型升级需求,重组材料力学知识模块,利用多维度素材建设、\"教与学\"模式转变以及多指标综合评价等手段,建立一套教书与育人、课内与课外、理论与实践、教学与科研、设计与竞赛相结合的\"教学相长、内外联动、上下融合、虚实结合\"的材料力学金课,以此激发学生的学习动力和专业志趣,实践效果良好。 相似文献
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周期性纳米结构阵列因其独特的光学效应在新型传感技术领域具有巨大的应用潜力,引起人们极大的兴趣。其光学特性依赖于形貌和结构参数,一般可通过调整这些参数来调控其光学性能,而通过外加磁场调节其光学性能鲜有报道。通过气液自组装法制备胶体晶体模板,采用等离子体刻蚀技术实现了对胶体晶体模板结构尺寸的调控。在此基础上,结合磁控溅射技术合成了具有六角周期性排列的亚波长尺寸磁性Co纳米球阵列膜,并研究了其在结构参数和外磁场作用下的光学性质。通过紫外-可见-近红外光反射谱发现,随着刻蚀时间从0 min增加到4.5 min,在可见光波段,光反射峰波长从512 nm蓝移到430 nm,蓝移了82 nm,峰强从10.69%降低到7.96%,减弱了2.73%;在近红外光波段,光反射峰波长从1 929 nm蓝移到1 692 nm,蓝移了237 nm,峰强从10.92%降低到7.91%,减弱了3.01%。通过控制刻蚀的时间,可实现对Co纳米球阵列膜光反射峰峰位和峰强的有效调控。对未刻蚀和刻蚀的Co纳米球阵列膜施加一个垂直的外加磁场,在外磁场作用下,二者的光反射峰峰强均表现出不同程度的增强。随着外加磁场的逐增,未经刻蚀... 相似文献