基于坐标检测的蜗杆齿形精密测量分析

分析了几种常见蜗杆类型与测量有关的参数计算方法,阐述了测量蜗杆齿形时干涉误差产生的原因和计算方法.分析计算结果表明:对渐开线蜗杆,其测量干涉误差值为0;对法向直廓蜗杆和阿基米德蜗杆,其测量干涉误差值随蜗杆螺旋线升角的增大而急剧增加,愈接近蜗杆齿根,干涉误差值愈大.因而提出用坐标测量系统测量精密蜗杆齿形时,应根据实际蜗杆螺旋面参数及探头参数计算不同测量点的干涉误差值,并消除其对测量结果的影响.     

水上桩基试验与成果分析

结合某大型港口项目的工程实例,利用静载试验、动载试验、应变测试的原理和方法,根据现场的地质条件,在试桩桩身的相应位置安装电阻应变片,沉桩过程中进行动载初打试验,经过一定的休止时间,再进行动载复打试验;然后搭设水上试验工作平台,进行静载试验,并同时进行应变测试.三种试验手段综合应用,互为补充,为确定主码头桩长和调整桩尖结构型武提供了科学依据,并解决了密实粉土层的沉桩可行性问题.试验成果弥补了该区域试桩资料的空白,为进一步开展桩-土相互作用的研究提供了可以借鉴的参数.     

Oligosiloxane Functionalized with Pendant (1,3‐Bis(9‐carbazolyl)benzene) (mCP) for Solution‐Processed Organic Electronics

A new oligosiloxane derivative (ODCzMSi) functionalized with the well‐known 1,3‐bis(9‐carbazolyl)benzene (mCP) pendant moiety, directly linked to the silicon atom of the oligosiloxane backbone, has been synthesized and characterized. Compared to mCP, the attachment of the oligosiloxane chain significantly improves the thermal and morphological stabilities with a high decomposition temperature (T_d=540 °C) and glass transition temperature (T_g=142 °C). The silicon–oxygen linkage of ODCzMSi disrupts the backbone conjugation and maintains a high triplet energy level (E_T=3.0 eV). A phosphorescent organic light‐emitting diode (PhOLED) using iridium bis(4,6‐difluorophenyl)pyridinato‐N,C² picolinate (FIrpic) as the emitter and ODCzMSi as the host shows a relatively low turn‐on voltage of 5.0 V for solution‐processed PhOLEDs, maximum external quantum efficiency of 9.2 %, and maximum current efficiency of 17.7 cd A^?1. The overall performance of this device is competitive with the best reported solution‐processed blue PhOLEDs. Memory devices using ODCzMSi as an active layer exhibit non‐volatile write‐once read‐many‐times (WORM) characteristics with high stability in retention time up to 10⁴ s and a low switch on voltage. This switching behaviour is explained by different stable conformations of ODCzMSi with high or low conductivity states which are obtained under the action of electric field through a π–π stacking alignment of the pendant aromatic groups. These results with both PhOLEDs and memory devices demonstrate that this oligosiloxane–mCP hybrid structure is promising and versatile for high performance solution‐processed optoelectronic applications.     

驱动问题引领下的核心反应在生产实际中的应用复习教学——以“铁和硫酸铜溶液的反应”为例

以铁和硫酸铜溶液的反应在“湿法炼铜”生产实际中的应用复习教学为例,针对学生能力的薄弱点,围绕核心反应搜集丰富的素材,引导学生模拟体会具体反应应用于生产实际时需考虑的问题,以问题解决为线索,达到促进学生发展的目的。     

输送机托辊阻力及跑合试验综合性能测试仪的设计(上)——测试仪机械传动系统

为实现对托辊阻力参数及综合性能的自动化、连续化的测试,论述了利用理论力学中“转动惯量法”构建机械传动控制系统,实现托辊阻力双参数测量的原理,阐明了采用压力传感器部件控制试验压力,达到托辊产品在规定压力下跑合要求的检测方法。     

滑差离合器传动摩擦副设计

滑差离合器因其无级调速和高效节能等性能优势已开始应用于各工业领域。针对传统滑差离合器技术借用普通湿式离合器摩擦副的设计方法来设计传动摩擦副,现已无法完全满足实际工程需要的问题,对滑差离合器传动摩擦副的设计方法进行了专门的理论和实验研究,得到其物理尺寸、表面沟槽、摩擦材料等参数的设计方法和热平衡校核的计算公式。试验研究表明:按此新方法和公式进行设计和校核的传动摩擦副,完全能够满足调速离合器的实际性能要求。     

配合参数对单晶炉驱动系统的影响分析

光伏产业的发展使得对硅材料的需求日益增加,同时硅单晶生产行业竞争也日趋激烈。作为生产硅单晶的重要装备,单晶炉的稳定性和可靠性关系到硅单晶生产效率的提升和成本的下降,因此其驱动系统的设计和优化成为装备制造的关键环节。本文以NVT-HG2000-V1型硅单晶生长炉的驱动系统为研究对象,用SolidWorks三维建模实现虚拟装配,采用ADAMS建立其动力学仿真模型,并对驱动系统的运动过程进行仿真模拟。采用控制变量法定量分析了铜套与升降轴的配合间隙及丝杠参数对驱动力和驱动力矩的影响规律,进而在提高硅单晶生长炉装备稳定性和可靠性方面给出合理的技术建议。结果表明,铜套与升降轴的配合间隙达到0.071 mm后能有效降低驱动系统运行所需驱动力矩,丝杠倾斜度、螺纹螺距与螺纹间摩擦系数的增大均会导致驱动系统运行所需力矩大幅增加。     

压电式微滴按需喷射的过程控制和规律

微滴喷射增材制造技术中沉积微滴的大小与均匀性是影响成型件质量的关键因素.本文设计了一种用于生成均匀微滴的压电驱动式微滴喷射装置,通过压电材料带动柔性膜片振动,将液体从喷嘴中喷出生成微滴,采用数值模拟和实验相结合的方法,研究了不同控制参数下膜片振幅及其对生成微滴尺寸和均匀性的影响.研究结果表明:膜片振幅大小受到驱动电压和压电频率的共同影响,压电频率是导致膜片中心点振幅实验测量值小于理论计算值的主要原因,膜片振动会导致喷嘴内部压力发生变化从而影响微滴生成尺寸.在相同驱动电压条件下,压电频率为10 Hz时存在压电膜片振幅最大值.随着膜片振幅的增大,喷孔处液体速度和液柱长度增大到临界值时可以生成微滴,当喷孔处的液柱长度超过临界值时,会形成卫星液滴. 当膜片振幅区间在30 $\mu$m$\sim $42 $\mu $m可以稳定生成微滴,生成最小微滴尺寸为339.8$\mu$m,直径最大变化率为0.29%,相邻两微滴间距最大变化率为2.67%,生成微滴的尺寸及均匀性较好.研究结果有助于提高压电式微滴喷射装置的液滴生成质量.      

CEV模型和B-P混合驱动模型下亚式期权Monte Carlo模拟

对亚式期权在CEV模型和B-P混合驱动模型限制下进行Monte Carlo模拟定价,建立风险中性测度,模拟出不同弹性因子值下资产价格路径.为了得出优于标准的Monte Carlo模拟,应用方差缩减技术来提高期权定价的精度.最后对亚式期权定价模型进行数值案例分析,得出弹性因子取值、时间步长、模拟次数与期权价值变化的关系.     

开关磁阻电机电动轮驱动系统

基于汽车动力学的分析,提出了电动轮驱动系统应遵循的控制原则即输出转矩闭环控制;比较了目前常用的开关磁阻电机转矩控制策略,并提出了新的控制方案.该方案通过放置辅助检测绕组和采用硬件积分器,对电机绕组磁链进行实时检测;结合绕组电流进行转矩估算,经过转矩误差PID反馈控制,实现电机输出转矩对转矩给定指令的跟踪.建立了实际的转矩闭环控制系统并进行了实验研究.实测得到的电机输出特性证明了所提出的控制策略的正确性.