全文获取类型
收费全文 | 5118篇 |
免费 | 399篇 |
国内免费 | 320篇 |
专业分类
化学 | 596篇 |
晶体学 | 5篇 |
力学 | 412篇 |
综合类 | 39篇 |
数学 | 843篇 |
物理学 | 1020篇 |
综合类 | 2922篇 |
出版年
2024年 | 14篇 |
2023年 | 47篇 |
2022年 | 77篇 |
2021年 | 95篇 |
2020年 | 94篇 |
2019年 | 121篇 |
2018年 | 96篇 |
2017年 | 129篇 |
2016年 | 131篇 |
2015年 | 149篇 |
2014年 | 282篇 |
2013年 | 268篇 |
2012年 | 308篇 |
2011年 | 293篇 |
2010年 | 232篇 |
2009年 | 252篇 |
2008年 | 225篇 |
2007年 | 334篇 |
2006年 | 316篇 |
2005年 | 267篇 |
2004年 | 215篇 |
2003年 | 241篇 |
2002年 | 234篇 |
2001年 | 174篇 |
2000年 | 153篇 |
1999年 | 152篇 |
1998年 | 139篇 |
1997年 | 114篇 |
1996年 | 106篇 |
1995年 | 87篇 |
1994年 | 93篇 |
1993年 | 68篇 |
1992年 | 59篇 |
1991年 | 58篇 |
1990年 | 43篇 |
1989年 | 47篇 |
1988年 | 40篇 |
1987年 | 25篇 |
1986年 | 15篇 |
1985年 | 9篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 7篇 |
1981年 | 4篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 5篇 |
1978年 | 2篇 |
1974年 | 2篇 |
1957年 | 1篇 |
1955年 | 1篇 |
排序方式: 共有5837条查询结果,搜索用时 0 毫秒
961.
针对Erich Hartmann方法构造Gn连续过渡曲面时基曲面间t向相对方向相冲突的问题,提出了3种新的线性组合方法.该方法构造了在t向相对方向相冲突情形下Gn连续的过渡曲面.应用该方法在过渡切触线邻近基曲面的相对边界和基曲面上邻近切触线附近的区域曲率变化较大的情形下,构造了Gn连续的过渡曲面,解决了重新参数化局部基曲面间t向相对方向相冲突的问题. 相似文献
962.
963.
在任何一种语言中,称谓语在交际中都占有重要地住、起着重要的作用。本文试图通过对汉语交际中主要的几种称谓语的分析找出这些称谓语使用以及变化背后的社会动因。 相似文献
964.
含运动副间隙平面机构位姿误差分析 总被引:1,自引:0,他引:1
将误差分析理论、优化技术与虚位移原理相结合,讨论了含运动副间隙平面机构的位姿误差,提出了一种机构位姿误差数值计算方法.利用虚位移原理,讨论了平面机构原始误差与输出端位姿误差间的映射关系;建立了平面机构中常见原始误差的数学模型,推导出平面机构输出端位姿误差表达式.根据优化思想,进一步探讨了输出端位姿误差的极值表达式.在已知各构件原始误差的情况下,通过计算机程序可以迅速得到含间隙的平面机构输出端的位姿误差.与其他同类方法相比,这种方法概念清晰,无需施加特定的外力,通用性强. 相似文献
965.
新的积分近似计算方法在工程设计中的应用之一 总被引:5,自引:1,他引:4
李平乐 《太原师范学院学报(自然科学版)》2008,7(3):37-39
介绍了利用不同的函数来求解某一积分的近似值,详细阐述了新积分近似计算方法的优点及计算过程,并就十二种函数的近似计算作了深入的说明.定量的数值计算表明,该方法可获得很高的精确度.换言之,借助于计算机运算,几乎能将积分的近似值很容易地转换成精确值. 相似文献
966.
为了提高角膜曲率计的测量精度,借助于现代光电子技术,设计了一款高精度的成像角膜曲率计.系统包括环形物、一次成像系统、角膜、二次成像系统和CCD探测器.首先在ZEMAX软件中,设计了成像角膜曲率计的一次成像系统和二次成像系统,分别对两个成像系统进行优化设计;然后通过半透半反镜组将一次成像系统和二次成像系统拼接,组成成像角膜曲率计的光学系统,并对其进行整体的优化设计.最后,利用TracePro对所得的环形像进行模拟和分析.结果表明:所设计的成像角膜曲率计的测量范围约为30~60D(对应角膜曲率半径5.5~11 mm),测量精度在角膜曲率半径7.8 mm时达到0.072D. 相似文献
967.
高精度瑞奇-康芒检测法研究及测试距离精度影响分析 总被引:1,自引:0,他引:1
为实现高精度瑞奇-康芒法检测,利用检测系统光瞳面与被测平面镜二者间的坐标转换关系,结合最小二乘法直接对测得的系统波像差进行恢复,通过两角度检测分离由光路调整引入的离焦误差,得到更为精准的平面镜面形。分析光路中测试距离对坐标转换关系以及瑞奇角求解精度的影响,根据仿真分析结果确定实验方案。实验中采用两角度检测,对测试波前进行恢复并分离系统调整误差后,最终得到被检平面镜面形,结果峰谷(PV)值为0.182λ、均方根(RMS)值为0.0101λ,对比干涉仪直接检测结果 PV值为0.229λ、RMS值为0.013λ,PV检测精度优于λ/20,RMS检测精度优于λ/100,实验结果证明了此种面形恢复方法的有效性以及测试距离精度分析理论的正确性,从而实现了瑞奇-康芒法高精度检测。 相似文献
968.
M. Tauhidul Islam Lachlan J. Tantau Nicholas A. Rae Zwi Barnea Chanh Q. Tran Christopher T. Chantler 《Journal of synchrotron radiation》2014,21(2):413-423
The X‐ray mass attenuation coefficients of silver were measured in the energy range 5–20 keV with an accuracy of 0.01–0.2% on a relative scale down to 5.3 keV, and of 0.09–1.22% on an absolute scale to 5.0 keV. This analysis confirms that with careful choice of foil thickness and careful correction for systematics, especially including harmonic contents at lower energies, the X‐ray attenuation of high‐Z elements can be measured with high accuracy even at low X‐ray energies (<6 keV). This is the first high‐accuracy measurement of X‐ray mass attenuation coefficients of silver in the low energy range, indicating the possibility of obtaining high‐accuracy X‐ray absorption fine structure down to the L1 edge (3.8 keV) of silver. Comparison of results reported here with an earlier data set optimized for higher energies confirms accuracy to within one standard error of each data set collected and analysed using the principles of the X‐ray extended‐range technique (XERT). Comparison with theory shows a slow divergence towards lower energies in this region away from absorption edges. The methodology developed can be used for the XAFS analysis of compounds and solutions to investigate structural features, bonding and coordination chemistry. 相似文献
969.
970.
在纳米压印工艺中,对模板和压印结构的几何参数进行快速、低成本、非破坏性地准确测量具有非常重要的意义.与传统光谱椭偏仪只能改变波长和入射角2个测量条件并且在每一组测量条件下只能获得振幅比和相位差2个测量参数相比,Mueller矩阵椭偏仪可以改变波长、入射角和方位角3个测量条件,而且在每一组测量条件下都可以获得一个4×4阶Mueller矩阵共16个参数,因此可以获得更为丰富的测量信息.通过选择合适的测量条件配置,充分利用Mueller矩阵中的测量信息,有望实现更为准确的纳米结构测量.基于此,本文利用自主研制的Mueller矩阵椭偏仪对硅基光栅模板和纳米压印光刻胶光栅结构进行了测量.实验结果表明,通过对Mueller矩阵椭偏仪进行测量条件优化配置,并且在光学特性建模时考虑测量过程中出现的退偏效应,可以实现压印工艺中纳米结构线宽、线高、侧壁角以及残胶厚度等几何参数更为准确的测量,同时对于纳米压印光刻胶光栅结构还可以直接得到光斑照射区域内残胶厚度的不均匀性参数. 相似文献