核内核子－核子非弹散射截面（Ⅰ）

在与平均场、核内核子－核子弹性散射截面以及输运方程相统一的理论框架内推导了核内核子－核子非弹散射截面的解析表达式．其数值结果能很好地重现自由非弹截面的实验值，所计算的有效非弹截面与Ｄｉｒａｃ－Ｂｒｕｅｃｋｎｅｒ的计算结果相一致．     

轴流通风机出口紊流流场的实验研究

本文对某一型号的一类轴流通风机的出口紊流流场进行了测量,得出了风机出口流场紊流度的变化特性和紊流流场的波形图,根据实验结果的分析,指出了该类通风机的空气动力噪声源。     

关于感生电场和库仑电场的讨论

通过剖析两个实例，讨论感生电场和库仑电场性质上的差异以及电压的定义问题，澄清对两种场认识上的一些误解．为进一步计算似稳电路打下了坚实的理论基础．     

Molecular electric field mapping of some anions and cations of 2- aminopurine and 6- thioguanine

Electric fields of the anions, cations and neutral forms of 2-aminopurine and 6-thioguanine have been mapped. Certain important features of the maps are similar to those found earlier in the neutral and ionic forms of adenine and guanine. The computed electric field patterns satisfactorily explain reactive sites and biological activity of the molecules.     

求Ramsey数最优下界值的递归算法

要确定每个具体的Ramsey数的数值是相当困难的,至今人们只求出了为数很少的几个Ramsey数的数值.人们在研究Ramsey数性质的同时,也在估计Ramsey数的数值,得出了某些Ramsey数的下界值,但工作进展缓慢.本文提出了一种计算Ramsey数最优下界值的递归算法,该算法利用当今关于Ramsey数的最新结果,能得出Ramsey数的目前最优下界值.1 算法描述不妨将本算法定名为G,参数个数为1个以上(可变化),算法允许递归调用,其输出值为Ramsey数的目前最优下界值.C(k_1,k_2…,k_n)表示以k_1,k_2…,k_n作为输入,通过算法G所得到的输出结果,即C(k_1,k_2…,k_n)表示的是G算出的Ramsey数N(k_1,k_2,…,k_n;2)的目前最优下界值,其中N(k_1,k_2…,k_n;2)的含意与文献[2]中有关含意相同.算法G:     

抽样调查中最佳测量次数的确定

现场抽样调查中，由于测量误差的存在，使得所测变量实测值的方差增大，通过增加每个体的测量次数可以控制测量误差，但这样每个体调查费用增大。本文对测量信度Ｒ，每个体测量次数ｍ与相应所需的样本含量ｎｍ、调查费用Ｔｎ的关系进行了探讨，并介绍了如何根据Ｒ，及每个体测量费用占其总费用构成比Ｃ，确定最佳测量次数ｍ值，以达到最佳控制调查费用的目的，这对我们在大型现场调查中进行经济效益分析具有重大的理论指导意义。     

Time-marching numerical schemes for the electric field integral equation on a straight thin wire

We derive and analyse four algorithms for computing the current induced on a thin straight wire by a transient electric field. They all involve solving the thin wire electric field integral equations (EFIEs) and consist of a very accurate differential equations solver together with various schemes to approximate the vector potential integral equation. We carry out a rigorous numerical stability analysis of each of these methods. This has not previously been done for solution schemes for the thin wire EFIEs. Each scheme is shown to be stable and convergent provided the radius of the wire is small enough for the thin wire equations to be a valid model.     

高压CMOS管工艺的设计、模拟和验证

模拟和验证了一种低成本的，以标准CMOS工艺为基础，无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术。讨论了低压器件中的各种击穿机理，相应提出了高压器件中所做出的改进，列举了该工艺技术中所用的特殊版图；对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟；将模拟结果与实际测试结果进行了比较，验证了这种高压工艺技术的实用性。     

耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计性质

研究了耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计特性 ,给出了当腔场初始处于真空态而激子处于真空态与粒子数态大于 2的叠加态时的腔场与激子能量交换的表达式。研究结果表明 ,激子和腔场可以呈现亚泊松分布状态 ,激子与腔场之间的关联是经典的 ,不存在Cauchy Schwartz不等式的偏离现象。