新疆少数民族语言特色文献资源库建设与发展研究——以新疆农业大学为例

少数民族语言文献资源是民族艺术文献资料、民族史学研究、宗教文化等的重要载体,对它们的收集与整理是建立健全少数民族文献资源体系、提高少数民族语言文献资源共享性的重要保障。阐述了新疆农业大学图书馆少数民族语言特色文献资源现状和存在的问题,提出了关于管理与发展新疆少数民族语言特色文献资源库的建议。     

硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究

研究分析了热氧化钝化,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化以及碘酒钝化三种表面钝化工艺的稳定性,通过WT-2000少子寿命测试仪对采用这三种钝化工艺的单晶硅片,多晶硅片以及物理提纯硅片在暗条件不同储存时间的少子寿命进行测量,分析得到三种表面钝化工艺的效果以及稳定性。研究结果表明:碘酒钝化效果好,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化和热氧化钝化稳定性好。     

六盘水市少数民族传统体育资源保护、传承与旅游开发的可行性研究

以六盘水市50个少数民族乡为研究对象,通过对其少数民族传统体育的存在状态、资源保护、传承与旅游开发的调查研究。结果显示:六盘水市发展少数民族传统体育旅游前景广阔;区位优越,交通便捷,发展少数民族传统体育旅游具备优良的条件;具有天独厚的民族传统体育和乡村旅游开发价值。     

相似语言文本横向处理的研究

针对电子资源短缺少数民族语言自然语言处理问题,提出了借助于大语言大数据,着重语言的相似性交叉处理的方法.该文在本次试验中利用维哈柯语及蒙古语多文种文本7 854条平行语料,分词单位和短句子单位考查分析了同语族语言以及不同族语言之间、同语系不同语族语言之间的相似程度.引用动态规划(DP)算法定量地获取了语言之间的相似性.实验结果显示:在句子阶段,维哈柯语言其相似度为84.3％,蒙族类语言为81.3％;在词阶段,维哈柯语言相似度可达到91.6％,而蒙族类语言相似度可达到87.8％.另外,同语系而不同语族多语言的相似性较低,在词级单位考查其相似程度不超过10％.     

供给侧改革与民族地区文化产业的转型升级

以供给侧结构性改革推进民族地区文化产业转型升级和创新发展,是新科技革命条件下民族地区产业变革的迫切需要,关键在于把握好文化产业在需求和供给两方面的辩证关系,尤其是通过供给侧改革实现发展动能的转换。科技创新和体制机制改革双轮驱动,是在民族地区文化产业领域实施供给侧改革的战略重点。科技创新为产业结构优化升级提供内生动力,驱动产业实现引领性发展;体制机制改革激发产业的创新活力,体现在制度安排和政策落实等多个层面。     

“一带一路”愿景下民族地区与海洋文化的现实机缘

分析了中国草原丝路、沙漠丝路、西南丝路和海上丝路所途径的民族地区与海洋文化割裂不断的历史联系和现实机缘,指出了在当今的海洋时代,借助“一带一路”的开发和建设,建构中国海洋文化全球传播民族路径的重大意义。     

包容性增长视角下民族地区旅游发展

包容性增长是近年来联合国提出的彻底改变落后地区贫困状况的发展思想,强调让弱势群体拥有平等的参与和分配机会,从而彻底消除贫困产生的根源。中国的民族聚居地大多处于边贫地区,旅游业的包容性增长是民族地区摆脱贫困的重要途径。首先回顾了包容性增长的概念及由来,分析了民族地区旅游业发展存在的不均衡现状及原因,结合民族地区旅游发展包容性增长的目标与内容,提出了民族地区旅游发展包容性增长的相关对策。     

甘肃民族地区推进科普工作的重要意义及障碍破除——以阿克塞哈萨克自治县为例

在创新发展和全面建设小康社会的新形势下,民族地区的科普工作更为紧迫和重要。甘肃省阿克塞县目前还存在科普经费短缺、科普队伍薄弱、科普活动欠丰富等问题,制约了科普工作推动经济社会发展的助力作用。推进阿克塞县科普工作,需要高度重视科普工作对阿克塞县建成全面小康社会、转型发展和融入"一带一路"建设的重大意义,着力突破体制机制约束、思想认识制约和文化观念束缚,开创科普工作新局面。     

准平衡模型下脉冲MOS电容器的瞬态特性

本文给出了描写咏冲MOS电容器的瞬态特性的微分方程.产生区宽度采用准平衡模型来计算,反型少子的非稳态产生的影响已被计及.文中给出了用Runge-Kutta方法得到的1-t和C-t瞬态特性曲线,并进行了详细讨论     

Low dose 60Co gamma-irradiation effects on electronic carrier transport and DC characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

The impact of internal irradiation with secondary Compton electrons, generated by gamma-photons, on the characteristics of III-N/GaN-based devices was explored. N-channel AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) were exposed to gamma-radiation from a ⁶⁰Co source for doses up to 600?Gy. Temperature-dependent electron beam-induced current (EBIC) was employed to measure minority carrier transport properties. For low doses below ～250?Gy, the minority carrier diffusion length in AlGaN/GaN HEMTs is shown to increase by about 40%. This increase is likely due to longer minority carrier lifetime induced by internal Compton electron irradiation. An associated decrease in activation energy, extracted from temperature-dependent EBIC, was also found. The obtained increase in transconductance and decrease in gate leakage current indicate an improvement in performance of the devices after low doses of irradiation. For high doses of gamma-irradiation, above ～300?Gy, the performance of HEMTs showed a deterioration. The deterioration results from the onset of increased carrier scattering due to additional radiation-induced defects, as is translated in a decrease of minority carrier diffusion length.